内存性能指标包括以下几个方面。
1.存储速度:内存存储速度以每秒访问一次数据的时间来表示。Ns的值越小,访问时间越短,速度越快。
2.容量:内存容量越大,越不容易卡顿,但受限于主板支持的最大容量。单条内存容量有1GB、2GB、4GB等。主板通常至少提供两个内存插槽,如果有多个内存插槽,则计算机的总内存容量为所有内存容量的总和。
是CASLstency的缩写,即CAS延迟时间,是指内存纵向地址脉冲的响应时间,是衡量不同内存规格在一定频率下的重要指标之一。
芯片是一颗8针256字节的EERROM芯片(ElectricallyProgrammableRead-OnlyMemory)位置通常在内存条正面右侧,记录着速度、容量、电压、行和列地址以及带宽。当开机时,计算机的BIOS会自动读取SPD中记录的信息。
5.工作电压:由于低压内存必须比标准电压低1.5V才能保证稳定运行,所以低压内存的生产对质量要求越高,内存质量越低越好,这就是低压内存的优点之一电压记忆。因此,高电压内存模块和低电压内存模块的区别在于,低电压内存模块比高电压内存模块使用更少的功率并且更加环保。
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内存的结构和原理。
存储器的内部结构是PC芯片中最简单的,它由许多重复的“单元”——单元组成,每个单元由一个电容器和一个晶体管(通常是N沟道MOSFET)组成。电容可存储1位数据,充放电后的总电荷(电位电平)分别对应二进制数据0和1。
因为电容会漏电,一段时间后电荷就会丢失,导致电位不足,数据丢失,所以必须定期充电,以保持电位,这种充电动作称为刷新,所以动态存储器具有Refresher刷新功能,这种刷新操作会一直持续到数据改变或者电源关闭为止。
MOSFET是控制电容器充电和放电的开关。由于其结构简单,DRAM可以实现小面积和大存储容量。
首先,以默认频率2400MHz运行游戏。在阳光明媚的地图上,通常需要光影的场景较少。此时内存占用5.9GB,帧率为100FPS表现非常不错。
准备进入前30名后,装备已经更换完毕,加载场景中的树木、阴影等细节得到了明显的提升。此时内存占用明显增加,达到了6.8G,帧率也比之前的场景稍低,达到了78FPS。不过帧率依然在60FPS以上,实际体验依然流畅。
经过多轮测试,2400MHz下平均帧率为80.9,最低帧率为43.1。
2133MHz:平均帧率76.9,最低帧率40.9
由于没有2133MHz内存,我们特意将频率降低到2133MHz2133MHz进行测试。
这场比赛的场面依然是阳光明媚。在简单的跳伞场景中,游戏帧率为89FPS,低于2400MHz下。
经过多轮测,略低于2400MHz的2133MHz下平均帧率为76.9,最低帧率为40.9。
2666MHz:平均帧率82.8,最低帧率46.5
最后测试的是2666MHz下的游戏体验。一直想游到对岸,碰巧遇到了志同道合的“泳友”,黄昏时远处的风景其实也很美。
这游戏还是阳光明媚,我变成了阳光娃娃……此时材质和光影还不丰富,所以内存占用为6.4G,帧率97FPS。
我的生活终于证明,跳下车是有风险的,你必须付出生命的代价。在略高于2400MHz的2666MHz下,平均帧率达到82.8,最低帧率为46.5。
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