芯片有10条地址线和8条数据线。
DRAM芯片的存储容量为512Kx8位,因此数据存储的最小单位为8位,即1字节。因此,数据线总共需要8位,即8条数据线(通常为D(0)至D(7))。
同时,我们从2^19=524、288=512K得知512K位内存,因此我们可以用19个地址的序列来表示DRAM的地址。
然而,DRAM的内部存储单元大多采用行对行结构,或者说分时结构。我是。复用时,地址线承载行间信号,因此地址线的数量必须减少到10条地址线。地址值是多余的。
下图展示了DRAN内部存储单元的结构。
扩展信息:
DRAM(动态随机存取存储器)是动态随机存取存储器。数据只能保存很短的时间。为了存储数据,DRAM使用电容器存储,因此数据必须定期刷新。如果存储单元不刷新,存储的信息就会丢失。(关机时数据丢失)
DRAM内存结构采用二维矩阵结构,DRAM地址数据的读出会分两部分进行:行地址数据和列地址数据。
DRAM结构和列地址行分时工作极大地提高了DRAM地址行利用率和DRAM集成度,并显着减少了DRAM引脚数量。
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