1.5v记忆棒是第三代产品。
DDR3(第3代)有凹口,一侧120针,两侧240针,电压1.5V,内存芯片呈方形。
常用内存模块参数:
1.SDR有两个凹口,一侧84针,两侧168针,电压3.3v,矩形内存颗粒(旧)。
1(第1代)有间隙,一侧92针,两侧184针,电压2.5V,内存颗粒为矩形。
2(第2代)有凹口,一侧120针,两侧240针,电压1.8V,内存颗粒为方形。
存储器分类
DRAM(DynamicRAM,动态随机存取存储器)的存储器件由电容器和相关元件组成。电容器代表信号0和1。DRAM必须定期刷新以保持充电,因为电容器可能会泄漏,充电不足会导致存储设备中的数据错误。DRAM结构简单,集成度高,常用于制造记忆棒中的存储芯片。
SRAM(StaticRAM,静态随机存取存储器)的存储器件是由晶体管及相关元件组成的锁存器。每个存储设备都有锁存“0”和“1”信号的能力。尽管它们速度快且不需要刷新操作,但它们集成度低、功耗高,通常用于创建更小但更高效的CPU缓存。
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