内存时序对游戏影响

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一、内存时序是什么？对性能影响大吗？

Lion存储器有四个描述同步动态存取存储器（SDRAM）的电路：CL、TRCD、TRP和TRAS，并以时钟周期为单位。因为通常有四个由冲突分隔的数字，例如7-8-8-24。第四个参数（RAS）常被省略，有时会增加第五个参数：Command，通常为2T或1T，也写为2N、1N。

这些参数指定影响随机存储器访问速度的延迟（延迟时间）。较小的数字通常意味着更快的结果。决定系统性能的最后一个因素实际上是延迟，通常以纳秒为单位。记忆的时间安排在表现中起着重要作用。

扩展信息：

将内存时序转换为实际延迟时，最重要的是了解。这是全天候的。如果不知道时钟的周期时间，就不可能知道一组数字是否比另一组数字快。

例如DDR3-2000内存的时钟频率为1000MHz，时钟周期为1ns。从第一个时钟开始，CL=7给出7ns的绝对延迟。更快的DDR3-2666（1333MHz时钟，每个周期0.75ns）可以使用更大的CL=9，但所得的绝对延迟要短6.75ns。

现代DIMM包含一个显示存在检测(SPD)ROM芯片，其中包含用于自动配置的推荐内存时序。PC上的BIOS可能允许用户调整时序以提高性能（冒着降低稳定性的风险），或者在某些情况下提高稳定性（因此建议使用时序）。

注意：但是内存是内存吞吐量的衡量标准，通常受到传输而不是缓存的限制。通过中断对多个内部SDRAM组的访问，它可以以峰值速率连续传输。然而，增加的延迟可能会导致成本增加。特别是，每一代新一代DDR内存都具有更高的传输速率，但绝对延迟并没有显着变化，特别是对于市场上的第一批新产品，其延迟通常比上一代更长。

延迟也会增加内存，但增加内存可以提高具有多个处理器或多线程的计算机系统的性能。在更高的带宽下，甚至可以在没有专用视频内存的情况下执行完整的电影图形工作。

参考资料：-内存时序

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二、内存时序对性能的影响？

对于相同频率的存储器，时序越低越好。

时序中的CL-TRCD-TRP(11-11-11)表示11个时钟。1600Mhz内存中的标准时序是11-11-11，1333Mhz中的标准时序是9-9-。9，因此具有时序9-9-9的1600Mhz内存比具有1600Mhz11-11-11时序不足的内存更快。谢谢。定期超频，除了将振动频率从1333改为1600Mhz外，专家还会改变时序。

基本解释

一般数字“A-B-C-D”对应的参数为“CL-tRCD-tRP-tRAS”，其含义为：CASLatency(卡的CL值）内存CAS延迟时间，这是内存的重要参数之一。有些品牌的内存会在内存模块的RAS-to-CASDelay（tRCD）上打印CL值，即内存行地址发送到列地址的延迟时间。

RASPrechargeDelay（tRP），存储器行地址选通脉冲预充电时间RowActiveDelay（tRAS），存储器行地址选通延迟。这是玩家最关心的四个时机调整。它们可以在大多数主板的BIOS中设置。

在相同频率设置下，“2-2-2-5”最小串行内存模块实际上可以提供比3-4-4-8”更高的内存性能，高出3到5个百分点。