这很正常。
U盘制造商以GB(十进制表示法,即10的立方=1000、1MB=1000KB等)来计算,但计算机(操作系统)以GiB(十进制表示法,即2到2)来计算。10次方,如1MiB=1024KiB),但国内用户一般理解为1MiB=1M=1024KB,所以MiB可能会转换为MB以方便了解中国文化即可。
另外,基于U盘厂家和用户对1MB大小的理解差异,很多160G的U盘实际容量按电脑实际的1MiB=1024KB计算也可以是160G。解释说小于。为什么新购买的“Qjinduanliang”U盘没有标注的那么大。
扩展信息:
U盘存储原理:
计算机将二进制数字信号转换成复合的二进制数字信号(分配、校验、出栈等附加指令)读写到USB芯片适配器接口,分配EEPROM存储芯片对应的地址,通过芯片处理信号存储二进制数据,实现马苏的数据。贮存。
EEPROM数据存储器的控制原理是通过栅极晶体管的结电容控制电压值,使数据能够长期保存。在原来的晶体管上增加了一个浮动栅极和一个选择栅极,以便在断电后仍然可以保存。存储电子的浮栅形成在半导体上,允许电流在源极和漏极之间沿一个方向流动。
浮置栅极被氧化硅绝缘体包围。它上面是一个选择/控制栅极,控制源极和漏极之间的电流流动。数据将为0或1,具体取决于硅衬底上形成的浮栅中是否有电子。有电子则为0,无电子则为1。
闪存,顾名思义,是通过在写入之前删除数据来初始化的。具体而言,从所有浮栅中提取电子。所有数据将返回“1”。写入时,数据为0时才写入,数据为1时不执行任何操作。
写0会对栅电极和漏极施加高电压,增加源极和漏极之间流动的电子的能量。这样,电子就突破氧化物绝缘体并进入浮置栅极。读取数据时,对栅电极施加恒定电压,电流大时设为1,电流小时设为0。
如果浮栅中没有电子(数据为1),向栅电极施加电压,向漏极施加电压,将导致大量电子在源极和漏极之间移动。产生电流。由于电子位于浮栅(数据0)中,通过沟道传导的电子数量减少。这是因为施加在栅电极上的电压被浮栅中的电子吸收后,对沟道的影响很小。
参考来源:-字节
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