内存时序什么场景下有用

---

一、到底什么是内存时序？为何都说买内存外行看频率，内行看时序在购买电脑内存时，大多数人都会关注内存容量和频率设置。一般来说，容量越大，频率越好，带宽也越好。当然，这两个参数非常重要，但是还有一个重要的参数往往被大家忽略，那就是内存时序。那么，什么是内存同步以及它如何影响内存性能？本期科普，单德君将带领大家了解一下这个内存参数。
时序会影响存储芯片上各种常见操作之间的延迟。如果延迟超过一定限度，就会影响内存性能。简而言之，内存时序是对内存在执行各种操作时可能遇到的固有延迟的描述。
内存时序以时钟周期为单位进行测量。您可能会在内存模块产品页面上看到一系列由连字符分隔的数字，例如16-18-18-38。称为内存同步。本质上，由于它们代表延迟，因此时间越短自然越好。这四个数字代表对延迟影响最显着的所谓“主要时序”。
四个内存同步号对应的参数为CL、tRCD、tRP、tRAS，单位为时间段。其中，CL（CASLatency）表示“列地址访问延迟，是同步中最重要的参数”；tRCD（RAStoCASDelay）表示“内存行地址到列地址的传输延迟”；指“存储线地址选通预电时间”；tRAS（RASActiveTime）表示“线路地址激活时间”。
看完上面的内容，你是不是更加困惑了？别担心，下面我们举一个简单的例子。
我们可以想象数据在内存中存储的位置是一个网格，每个方格存储不同的数据。如果处理器需要数据，就会向内存发送相应的指令。
例如，CPU希望数据位于位置C3。内存一旦收到CPU的指令，首先要判断数据位于哪一行。第二个时序参数tRCD代表这个时间，意思是内存控制器收到CPU的指令后要等待多长时间。行之前访问此行。
一旦内存确定了数据在哪一行，如果要查找数据，还必须确定列。时序中的第一个数字是CL，它表示内存确定行数后，在访问特定列之前要等待多长时间。
确定行数和列数后，就可以精确找到目标数据，所以CL是一个精确值。任何改变都会影响目标数据位置，所以这是最关键的设置。对记忆力发挥着决定性作用。
第三个内存时序参数tRP是确定一行后等待另一行所需的时间。
第四个参数tRAS可以简单理解为向内存写入或读取数据的时间。它一般接近于前三个参数的总和。
所以，为了保证稳定性，内存时序越低越好。但我们知道现在很多内存模块都可以超频，而高频和低时序会产生冲突。一般来说，随着频率的增加，必须牺牲时序。如果时间足够低，则很难增加它。频率。比如，今年各大存储厂商发布的DDR5内存频率确实有所提升，但时机也比DDR4内存高很多。

---

二、电脑内存条时序怎么看好坏？

检查记忆棒时序的步骤如下：

1.第一的，如果有两个容量和频率相同的记忆棒，你可以检查一下内存条。在这一点上，如果有一个CL14和一个CL16的话，可以说还是CL14更好一些。

2、第二，当您需要为计算机添加内存模块时，例如，DDR4，你需要先检查你的电脑原来的DDR。

3.最后，例如，8G加8表示内存容量为8G。一般来说，当运行内存，你首先会看能力。特别是当您需要安装另一个时。清楚地检查计算机的性能，并在添加额外内存时选择相同的内存。