内存时序分别是什么(内存时序对照表)

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一、内存条时序是什么意思

内存模块时序是指计算机内存模块的访问和传输速度参数。它描述了内存模块的各种操作之间的时间间隔和时序规范。这些参数通常用数字表示，如CL（CASLatency）、tRCD（RAStoCASDelay）、tRP（RowPrechargeTime）等。

查找下面他们解释了内存模块的一些常见时序参数：

1）：CAS延迟是指内存模块响应读取请求所需的时间。它表示内存模块收到读请求后需要多少个时钟周期才能提供有效数据。较低的CAS延迟意味着更快的内存读取。

ASDelay(tRCD)：RAS到CAS延迟是指内存模块的行激活(RowActivation)和列选择(ColumnSelection)之间的时间。它表示线路激活后需要多少个时钟周期来读取或写入数据。

chargeTime(tRP)：行预充电时间是指在下一行激活之前对当前行进行预充电所需的时间。它表示读取或写入数据后需要多少个时钟周期才能使内存模块准备好进行下一次操作。

hCycleTime(tRFC)：刷新周期时间是指内存模块刷新操作之间的时间间隔。内存模块必须定期更新存储的数据以防止数据丢失。tRFC参数指定两次更新操作之间所需的时钟周期数。

这些时序参数对于内存模块的性能和稳定性非常重要。较低的时序值通常意味着较高的内存性能，但必须与主板和处理器兼容并在稳定性测试中得到验证。为您的计算机系统和需求选择正确的内存模块时序至关重要。您可以通过检查主板和内存模块的技术规格并执行适当的性能测试来确定最佳配置。

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二、内存时序是什么意思？

对于相同频率的内存，时间越低越好。

CL-TRCD-TRP(11-11-11)时间显示11小时1600Mhz内存上的默认时间为11-11-11，1333Mhz上的默认时间为9-9-。9、所以9-9-9时间的1600Mhz内存比11-11-111600Mhz内存快谢谢。平时的超频，除了把频率从1333改成1600Mhz之外，专家还会改时间。

基本解释

通用数字“A-B-C-D”对应的参数为“CL-tRCD-tRP-tRAS”，其含义为：CASLatency内存的CASLatency（简称CL值），它是重要的内存参数之一，地址传输到列地址的Latency时间。

RASPrechargeDelay（tRP），存储器行地址脉冲预充电时间RowActiveDelay（tRAS），存储器行地址延迟。这是玩家最担心的四个时机调整。它们可以在大多数主板的BIOS中设置。

在相同频率设置下，最小串行时间内存模块“2-2-2-5”实际上可以比“3-4-4-8”带来更高的内存性能，范围为3到5百分点。