内存clk周期是什么(内存周期)

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一、内存条的频率都么认?原装产品有标志！怎么看标志，可以看下面（BIOS里也可以看到）
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想要了解更多关于记忆的知识，你一定不能错过以下内容。其中，内存时钟周期、访问时间、CAS延迟时间是直接衡量内存性能的重要参数。它们都可以在主板BIOS中设置。这个主题将在介绍BIOS时进一步探讨。
1.时钟周期(TCK)
TCK是“ClockCycleTime”的缩写，即内存时钟周期。它代表内存可以运行的最大运行频率。数字越小，内存可以运行的频率越高。时钟周期与存储器工作频率成倒数，即TCK=1/F。例如，一块内存芯片标记为“-10”，“-10”表示其工作时钟周期为10ns，即可以在100MHz的频率下正常工作
。2．访问时间（TAC）
TAC（AccessTimeFromCLK）的意思是“访问时间”。与时钟周期不同，TAC仅表示访问数据所需的时间。例如，标记为“-7J”的存储芯片表示该存储模块的存取时间为7ns。存取时间越短，记忆棒的性能越好。例如，如果两个记忆棒运行在133MHz下，其中一个的访问时间为6ns，另一个为7ns，则前者将比后者快。
延迟（CL）
CL（CASLatency）是内存性能的重要指标。它是存储器纵向寻址脉冲的响应时间。当计算机需要从内存中读取数据时，在实际读取之前通常会有一个“缓冲期”，“缓冲期”的长度就是这个CL。内存CL值越低越好。因此，缩短CAS周期有助于加快同频率下内存操作的速度。
4.奇偶校验（ECC）
内存是一个数据传输的“仓库”，在频繁的传输过程中，如果收到坏数据怎么办？ECC是一种数据验证机制。ECC不仅可以判断数据的正确性，还可以纠正大部分错误。这种内存一般不用于普通PC，而一般用于高端服务器电脑。