2666频率内存时序

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一、如何查看内存时序内存时序是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，是时钟周期的单位。对于四进制数通常是通过碰撞来分隔的，如上面的n。16-18-18-36。
第四个参数经常被省略，有时会添加第五个参数：Command（命令），通常为2T或1T，也写为2N，1N的存储内存速度，较低的数字通常意味着更快的性能，因此越小越好，通常以纳秒(ns)为单位。
各种数值
在这四组数字中，150个数字中的第一个数字（即第一组）对于记忆性能的重要性最为明显，因此会出现许多产品请注意产品名称中的内存150值一般DDR4内存的第一个值浮动在15左右，但DDR3内存的值在5到11之间，最后三个值甚至比DDR4内存还要小。也就是说，在相同频率下，DDR3内存比DDR4速度更快（笔者并不否认DDR4）。
我讲了时间序列中四组数字的定义，你如何利用这些小知识来比较产品？比如智奇2400MHzDDR4内存时序为17-17-17-39，2666MHz内存时序为19-19-19-432666MHz虽然更高，由于时序价格也高，没有性能优势。因此，选择内存，不仅要注意频率，还要注意时序。同时，在对内存进行超频时，也可以通过手动超频来减少紧张情绪。很多厂商还会送出仿旧版本供爱好者选择。

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二、内存频率2666什么意思2666v3通常指的是DDR4内存型号，其中2666指的是内存的频率，即2666MHz。v3可能意味着版本或一些较小的制造商特定规格更改。然而，“2666v3”并不是存储行业的标准名称，因此具体参数可能会根据制造商和产品系列的不同而有所不同。
详细信息
当我们谈论计算机内存时，DDR4是迄今为止最常见的类型，代表“第四代双倍数据速率”。存储器的频率，例如2666MHz，决定了存储器每秒可以传输数据的次数。更高的频率通常意味着更快的性能。
在DDR4内存中，2666MHz是常见的频率。但需要注意的是，内存的实际性能不仅取决于其频率，还取决于其他因素，例如时序（CAS延迟、RAS到CAS延迟等）和存储容量。
“v3”部分可能表示该内存的特定版本或修订版。有时，制造商会对其产品进行微小的更改，以提高性能、稳定性或兼容性，并通过版本号来区分这些更改。不过，由于“2666v3”不是标准化的命名约定，因此最好查阅具体产品的官方文档或制造商的网站以获取准确的参数信息。
例如，两个都标记为2666MHz的记忆棒可能有不同的时序和电压要求，这些差异可能会影响它们的整体性能。因此，选择内存时，除了频率外，还应考虑其他规格和性能指标。
要了解“2666v3”具体指的是什么类型的内存以及它有哪些详细参数，一般最好直接查看制造商的信息。不同的制造商和产品线可能有不同的特性和性能。

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三、内存时序c30和c36的区别内存时序c30和c36相差250g左右。
c30和c36的内存时序相差约250g。C36的实际内存为512GLC30，一根记忆棒所含内存通常为70G。介于C36和C30之间的记忆棒重量约为250克。
内存计时频率：
CL、T、T、T，以时钟周期为单位。这些通常写为用破折号分隔的四个数字。将内存时序转换为实际延迟时要记住的最重要的一点是它以时钟周期为单位。
如果不知道时钟周期中的时间，就不可能了解一组数字是否比另一组快。
例如，DDR3~2000内存的时钟频率为1000MHz，时钟周期为1ns，基于这个1ns时钟，如果CL等于7，则绝对延迟为7ns。更快的DDR3至2666（1333MHz时钟，每个周期0.75ns）可能会使用等于9的较大CL，但最终产生的绝对延迟将小于6.75ns。
现代DIMM包含串行存在检测(SPD)ROM芯片，其中包含用于自动配置的推荐内存时序。PC的BIOS允许用户调整时序以提高性能（冒着降低稳定性的风险），并在某些情况下提高稳定性（使用推荐的时序等）。
请注意，内存带宽是内存吞吐量的衡量标准，通常受传输速率而非延迟的限制。对多个SDRAM内部存储体的交叉访问可实现峰值速率的连续传输。
带宽的增加可能会以延迟为代价。具体来说，虽然每一代新一代DDR内存的传输速度都在提高，但绝对延迟基本保持不变。新一代产品，尤其是那些率先上市的产品，通常比前代产品具有更高的延迟。
增加内存带宽可以提高具有多个处理器或多执行线程的计算机系统的性能，即使内存延迟增加也是如此。更高的带宽还可以提高不使用专用视频内存的集成显卡的性能。