DDR3低压内存与普通DDR3内存的区别在于:功耗不同、延迟时间不同、颗粒规格不同。一般来说,普通DDR3内存与DDR3低压内存的兼容性较好。由于管脚、封装等关键特性不变,DDR3低压显存和公版设计的显卡只需稍作修改即可使用,这为厂商降低成本带来了巨大的好处。
1.不同的功耗级别
3内存低电压:低电压DDR3内存的核心工作电压从1.8V降低到1.5V,功耗也降低。
2.传统DDR3内存:传统DDR3内存功耗较高,无法满足高带宽要求。
2.不同的延迟时间
3内存的低电压:DDR3内存的低电压可以由于功耗降低而实现更高的工作频率,从而补偿更长的延迟时间。
2.一般情况下,普通DDR3内存:一般情况下,普通DDR3内存由于能耗较高,因此存在延迟较长的缺点。
3.不同颗粒规格
1.低压DDR3内存:低压DDR3内存颗粒规格多为32MX32bit,且颗粒容量较大,4颗可组成128MB显存。
2.常规DDR3内存:普通DDR3内存的粒度主要为16MX32bit,需要8128MB显存,常用于中高端显卡。
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