当前位置:首页 > 内存 > 正文

内存分几个区(内存条4根8g还是两个16)

  • 内存
  • 2024-06-08 14:28:09
  • 3728

一、8051片内RAM的容量有多少?可以分为哪几个区?各有什么特点?00~1F为功能寄存器区,20~3F为位寻址区,其余为普通存储器80~FF为特殊功能寄存器区。


二、MCS-51单片机片内256B的数据存储器可分为几个区?分别起什么作用

MCS-51单片机的片内数据存储器可分为两个区域:由00H~7FH单元组成的下128B片内RAM区域,以及由80H~FFH单元组成的上128B特殊寄存器区域。低128BRAM区域分为:00H~1FH单元为工作寄存器区域,20H~2FH单元为位寻址区域,30H~7FH单元为用户RAM区域。

工作寄存器区域可用作通用寄存器,用户RAM区域可用作数据堆栈和缓冲区。特殊寄存器区也称为特殊功能寄存器,使用单元80H~FFH。

扩展信息

内存空间可分为物理结构:MCS-51内存采用程序内存和数据内存分离的结构,寻址。,其存储空间从物理结构上可分为以下四个空间:片内程序存储器、片外程序存储器、片内数据存储器和片外数据存储器。

MCS-51单片机的四个I/O口P0~P3的结构异同以及使用时需要注意的事项:MCS的四个口的结构异同-51单片机:P0~P3均为准双向I/O口,输入时必须先向相应口的锁存器写入“1”。

区别:P0口的输出级与P1~P3口的输出级不同。它没有内部上拉电阻,不能提供电流输出,而P1~P3有内部上拉电阻,可以提供Pull电流输出。

P0口作为通用I/O口输出时,需要外接上拉电阻才能输出高电平;然而,当用作地址/数据总线时,不需要外部上拉电阻。当IO口P1~P3输出时,无需外接上拉电阻。


三、MCS-51单片机内部RAM可分为几个区?各区的主要作用是什么

MCS-51单片机的内部RAM可分为5个区域:

1存储矩阵区域:核心RAM区域是用于存储信息的寄存器矩阵,称为。存储矩阵区域。

2地址译码区:地址译码区的作用是将寄存器地址对应的二进制数翻译成有效的行选择信号和列选择信号,从而选择存储单元。

3读写控制区:访问RAM时,是否对所选寄存器进行读或写由读写控制区的读写信号控制。

4I/O区:RAM通过I/O区与计算机的CPU交换数据。输入/输出区域中的数据线的数量与地址对应的寄存器位数相同。

5片选控制区:片选控制区就是用来实现此类控制的。检查RAM是否与CPU接触并在访问时与其交换信息。

扩展信息:

MCS-51单片机内部RAM读取操作时,按数据行处理所选单元的数据写操作时,将I/O区传输至CPU,CPU通过I/O区对数据进行转换,并将数据线存储到选定的单元中。

由于RAM集成限制。MCS-51微控制器由多个RAM组成。当CPU访问内存时,它一次只能访问RAM中的一个特定芯片。当片选线连接到无效电平时,芯片与CPU断开。