内存条时序在哪看(内存条时序怎么调)

---

一、如何查看内存时序内存时序是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位是时钟周期。它们通常写为用破折号分隔的四个数字，如上所示，16-18-18-36。
第四个参数经常被省略，有时会增加第五个参数：Commandrate（命令速率），通常为2T或1T，也写为2N、1N。这些参数指定了随机性的影响。存储内存速度的延迟，数字越低通常意味着性能越快，因此越小越好，通常以纳秒(ns)为单位。
各种数值
这四组数字中，第一组数字CL（即第一组）对内存性能的影响最为明显，所以很多产品都会在产品名称上标注内存CL值。一般DDR4内存的第一组值在15左右浮动，但DDR3内存的值在5到11之间，最后三组值也比DDR4内存小。也就是说，在相同频率下，DDR3内存比DDR4更快（笔者并不是否认DDR4）。
讲完了时间序列中四组数字的定义，您在购买产品时如何运用这些小知识呢？让我举一个例子。例如，的2400MHzDDR4内存的时序为17-17-17-39，而2666MHz内存的时序为19-19-19-43。实际测试中，内存频率为2666MHz。虽然更高，但没有性能优势，因为时序值也高。因此，选择内存时不仅要关注频率，更要注重时序。如果频率相同，则必须选择时序较低的产品。关于时序，在超频内存时，还可以通过手动超频来减少时序。很多厂商也会推出超频版本供爱好者选择。

---

二、内存时序怎么调详解内存时序调整方法？内存时序是指读写内存时的延迟时间，包括CL（CASLatency）、TRCD（RAStoCASDelay）和TRP（RASPrechargeTime）等参数。这些参数可以通过调整内存时序来优化内存性能。
以下是调整内存时序的步骤：
1.进入BIOS设置：根据主板和电脑型号的不同，进入BIOS设置的方法可能有所不同。通常，您需要在计算机打开时按特定键，例如F2、F12或删除键。在BIOS设置中，找到“高级”或“内存”选项，进入内存时序调整选项。
2.调整CL（CASLatency）：CL是读写内存时的延迟时间。它表示从发出读命令到第一次读取数据的时间。您可以通过调整CL值来优化内存性能。一般来说，较低的CL值会带来较高的性能，但也会增加延迟。因此，您需要根据您的具体情况进行调整。在BIOS设置中，找到CL值调整选项，根据自己的需要进行调整。
3.调整TRCD（RAStoCASDelay）：TRCD表示从RAS（行地址选择）信号到CAS（列地址选择）信号的时间。这个时间的长短会影响内存的读写速度。您可以过调整TRCD值来优化内存性能。在BIOS设置中，找到TRCD值调整选项，根据自己的需要进行调整。
4.调整TRP（RASPrechargeTime）：TRP表示预充电RAS信号所需的时间。在对存储器进行读写之前，需要进行预充电操作，以清除之前的电荷。您可以通过调整TRP值来优化内存性能。在BIOS设置中，找到TRP值调整选项，根据自己的需要进行调整。
需要注意的是，不同的内存类型和不同的计算机配置可能需要不同的最佳内存时序调整值。因此，您需要根据您的具体情况进行调整，并在测试中进行适当的优化。