内存条封装pcblib

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一、内存的封装方式主要有?双列直插内存模块(DIMM)与SIMM类似，但稍大一些。不同之处在于，SIMM上的一些引脚是相互连接的，而DIMM上的每个引脚是隔离的，这大大提高了电气性能，并且允许容纳更多模块，而无需使模块变得更大。获得更大的RAM容量更容易。
Rambus内联内存模块(RIMM)看起来有点像DIMM，只不过它们更大且性能更好，但它们更昂贵且产生更多热量。为了解决散热问题，模块设有长散热片。
现在我们回过头来看看内存颗粒的封装。
DIP
最初的内存颗粒也采用了DIP（DualIn-linePackage）。这种封装的形状引脚数量较少（通常为8至64个），因此引脚从长边突出。引脚），抗干扰能力很弱，而且尺寸比较“大”，所以DIP封装就像风扇里的闪光灯。
SIP
SIP（SingleIn-linePackage）是一种仅一侧引出引脚并直接插入PCB板的封装。一个有吸引力的特点是电路板面积。然而，在某些系统中，密封电路板限制了SIP封装的高度和应用。除了缺少鳍之外，性能也不尽如人意，很快就退出市场。
SOJ
SOJ（SmallOut-LineJ-Lead小J型引脚封装）伸出的引脚与DIP引脚有点类似，但不同的是引脚被标记为“J”。“形状围绕芯片底部弯曲，必须与专门为SOJ设计的插座一起使用。
TSOP
20世纪80年代出现的TSOP封装（ThinSmallOutlinePackage）较好适合高频使用，TSOP的封装厚度仅为SOJ的1/3，并且封装芯片周围都有I/O引脚，而SGRAM内存颗粒的四个引脚都有引脚。在TSOP封装中，内存颗粒通过芯片引脚焊接到PCB板上，因为它们之间的接触面积较小，因此将热量从芯片传递到PCB板相对困难。
Tiny-BGA
Tiny-BGA（TinyBallGridArray）是Kingmax推出的一种封装方式，可以称为Tiny-BGA封装。超小型BGA封装通过减小芯片面积，与现有封装技术相比具有三大改进（可以将内存颗粒放置在电路板上），电气性能更好（连接芯片和基板的路径更短，消除了内存颗粒）。电磁波），可能会产生干扰噪声，适合更高的工作频率），并且散热性能更好（内存颗粒通过焊球焊接到PCB板上。因为焊点和PCB板之间的接触面积。>mBGA
mBGA（MicroBallGridArray微型球栅阵列封装）可以说是一种。BGA的改进版，封装呈方形，内存颗粒实际占用的面积相对较小。小的。采用这种封装方式的存储芯片的引脚都在芯片的底部，因此连线短，电气性能好，不易受到干扰。这种封装技术提供了更好的散热和超频性能，特别适合高频运行的DirectRDRAM。但其制造成本非常高，因此目前主要用于DirectRDRAM。
CSP
CSP（ChipScalePackage）是一种新的封装方式。CSP封装性能在BGA和TSOP的基础上得到了显着提升。CSP封装可以超过芯片面积与封装面积之比1:1.14，接近1:1的理想情况。这只有32平方毫米，大约是典型BGA的三分之一。TSOP内存颗粒面积的1/6。这样，在相同体积的记忆棒上就可以安装更多的记忆颗粒，从而增加了单根记忆棒的容量。也就是说，与BGA封装相比，CSP封装在相同空间内可将存储容量提高三倍以上。此外，CSP封装的内存颗粒不仅可以从PCB板散热，还可以从背面散热，散热效率良好。同时，由于联合电子器件工程委员会（JEDEC）制定的DDRⅡ技术规范，一旦DDRⅡ成为主流，TSOP-Ⅱ封装将彻底退出市场，取而代之的是CSP改进的WLCSP。新的包装责任。同时，WLCSP的封装方式比CSP更接近芯片尺寸，而且封装布线也是在晶圆上完成，因此在可靠性方面达到了更高的水平。