内存超4000vddq电压多少

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一、主板上的电压符号：vdd，vddq，5vsb，3.3sb，vcc3.3，Vdimm都是什么的缩写，起什么作用？VDD——通用IC电源；可能是+3V；+1.5V等
VDDQ--需要滤波电源，稳定性要求比VDD更高。
5VSB--5V备用电源；备用电源是指计算机未开启，但已插入外部电源。主板上有一部分是供电的，可用于唤醒等功能。
3VSB--3V备用电源。
VCC3--+3V主电源。
VDIMM--内存供电。
供电一般为VDD，电压控制电路没有DD这样的东西。备用电源。
VCORE--CPU供电，
主板+5VSB；+3VSB+3V；+5V；+12V，有+5V_DUAL（USB）和多个南北桥电源。贡献。具体电压与IC和不同板子的电压有关，VDD只是一个通称。
我设计主板。

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二、内存给电压选择vdd还是vddq

拿显卡来测试，DDRTSOP显存。VDD引脚为3.3V，VDDQ为2.5V，VREF为1.5V。
VDDQ为DDR内存供电。

1.说明
VCC：C=电路的意思，是电路连接的电压；
VDD：D=设备的意思，是设备内部的工作电压；
VSS：S=串联的意思是公共连接，通常指与电路的地端电压。
2.说明
1对于数字电路，VCC为电路电源电压，VDD为芯片工作电压（通常Vcc>Vdd），VSS为接地点。
2.有些IC同时具有VDD引脚和VCC引脚，表明器件本身具有电压转换功能。
3.在场效应晶体管（或COMS器件）中，VDD是漏极，VSS是VDD的源极，VSS指的是组件引脚，而不是电源电压。4.一般来说，VCC=模拟电源，VDD=数字电源，VSS=数字地，VEE=负电源
另一种解释：
Vcc和Vdd是设备的供电端。对于双极器件，Vcc为正，对于单级器件，Vdd大多数为正。下标可以理解为NPN晶体管的集电极C和PMOS或NMOS场效应晶体管的漏极D。同样，在电路图中可以看到Vee和Vss，它们的含义是一样的。由于主流芯片结构是硅NPN，因此Vcc通常为正。如果采用PNP结构，Vcc将为负值。建议大家在选择芯片的时候，一定要看清楚电气参数。
Vcc来自集电极电源电压，CollectorVoltage，通常用于双极型晶体管，对于PNP晶体管，是负电源电压，有时也标记为-Vcc，对于NPN晶体管，是正电压。
Vdd源极DrainVoltage，用于MOS管电路，一般指电源。由于PMOS管很少单独使用，所以Vdd在CMOS电路中常接PMOS管的源极。
源极电源vs.电压在CMOS电路中是指负电源，使用单电源时指零伏或地。
电源的发射极电压EmitterVoltage，通常用于负电源电压ECL电路。
Vbb电源电压基本，双极晶体管的典型基本电路

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三、12代vddq电压如何调整1.首先，打开vddq第12代shell。
2接下来，找到内存总线部分，设置内存电压和芯片电压。
3。最后调整张力。