三星内存ddr3l超频

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一、DDR3L8G,DDR34G和DDR3L4G的性能看相应频率下的实际运行状态，而不是大小。
比如低电压版本的DDR3L现在基本都有800MHz对应1600MHz的芯片，普通电压版本的DDR3也有DDR31600。两者的表现简直一模一样！
但如果其中之一被限制运行在800MHz或1066MHz，性能肯定会下降。
如果DDR3L超频到1866，性能会比正常电压的DDR31600更好。
所以这取决于实际工作状态的等效频率，而不是大小。你必须明白这是关于什么的。
这是一个简单的性能比较。
如果要比较内存的整体性能，还需要看是单通道还是双通道还是三通道还是四通道，内存控制器以及整体设计架构等。可以拿X58芯片组的三通道性能来和X79的四通道相比。
再比如，P45时代，内存控制器在北桥，后来的P55改用PCH，集成CPU内存控制器，架构也改变了，用QPI总线代替FSB在P45时代及以前，那么同样的内存频率和位宽，可以提供更低的延迟和更高的速度！（珠穆朗玛峰测试表明至少提高了50%）
如果您有任何疑问，请随时问我。如果您满意，请及时投入使用！

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二、内存条DDR3L和DDR3有什么区别?

1.工作电压不一致。DDR3L的工作电压为1.35V，DDR3的工作电压为1.5V。

2。兼容性各不相同。两者在大多数情况下是兼容的，但与Haswell平台下的IntelHaswell处理器并不完全兼容。为了更好的降低功耗，支持的内存类型仅为DDR3L，不兼容DDR3。

3.功耗差异。标准DDR3内存使用的工作电压为1.5V，而DDR3L内存使用的工作电压为1.35V。

4.性能差异。DDR3L内存的功耗比标准DDR3内存低15%。降低功耗自然会导致性能下降。测试表明，DDR3L内存的性能低于DDR3内存，但两者差距并不大。

高级信息：

内存模块是一个计算机组件，可以通过总线对CPU进行寻址并执行读写操作。在个人电脑的历史上，记忆棒曾经是主存储器的延伸。随着计算机软硬件技术要求的不断更新，内存模块已成为读写内存的整体。我们通常所说的电脑内存（RAM）大小是指记忆棒的总容量。

评价记忆棒的性能指标有四个：

存储容量：即记忆棒可以存储的二进制信息量，例如一个内存条的存储容量。普通记忆棒使用168线记忆棒：一般为32MB、64MB、128MB。DDRII3的大小一般为1GB到8GB。

访问速度（内存周期）：即两次独立访问操作之间所需的最短时间也称为内存周期。半导体存储器的存取周期一般为60纳秒至100纳秒。

存储可靠性：存储可靠性是通过平均故障间隔时间来衡量的，可以理解为两次故障之间的平均时间。

性价比：性能主要包括存储容量、存储周期和可靠性。性价比是一个综合指标，对不同的内存有不同的要求。

参考资料：记忆棒-

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三、ddr3l可以换成ddr5吗

是的，首先DDR5内存的理论性能有了明显提升，但实际体验却相差无几。没有必要一味求新弃旧。

DDR5内存基于协议更新、制造工艺和内部结构改造。在新一代DDR5中，内存的基础频率通常起始于4800MHz左右，与DDR4时代的起始频率2133/2400MHz类似，有双重提升；频率的提升使得DDR5内存无论是读测试、写测试、复制还是延迟，理论运行成绩都发生了质的飞跃。就运行结果而言，DDR5无疑领先，而且提升巨大。

ddr5内存：

1。当效率翻倍，电脑运行更快

DDR5最震撼的技术升级正在等待。有效频率从2133MHz直接增加到4800MHz。以目前DDR5的优化调整，未来可以达到6400MHz。频率的提升导致了DDR5内存运行成绩的质的飞跃。无论是读写测试还是复制粘贴，DDR5曲线无疑是最高的。

2.更低的工作电压，更强的超频能力

如果说性能倍增是最明显的技术升级，那么后续的内部技术和升级修复就更深了。工作紧张是一个重要的组成部分。DDR5的工作电压最高可达1/1V，比DDR4的1.2V低约20%。这有两层含义。

首先是功耗。对于笔记本电脑来说，节能20%显然对于节能意义重大。第二种选择是超频，它降低启动电压，为后续超频参数的操作创造更多空间，从而提高内存的超频潜力。

3.纠错能力更强，运行更稳定

随着DRAM芯片密度不断增加的今天，数据泄露和数据错误不断增加，尤其是在企业级运营中。为了避免常见的数据错误，业界引入了ECC纠错机制，以避免风险、提高可靠性、降低错误率。