DDR42400和DDR42666内存条的主要区别在于频率,前者等效频率为2400MHz,后者等效频率为2666MHz,并且后者的数据传输效率更高。
高频内存模组性能得分较高,但实际应用体验上我看不出差异。如果你不追求极致的图像质量,我建议你多花一点钱购买更好的固态硬盘,以获得显着的改善。内存也存在时序差异,但时序差异不如频率差异明显。
扩展信息
内存单元是CPU可以通过总线处理并执行读写操作的计算机组件。在个人计算机的历史上,存储卡一直是主存储器的扩展。随着计算机软硬件技术不断更新的要求,内存模块已经成为读写内存的完整单元。我们通常所说的计算机内存(RAM)的大小是指存储芯片的总容量。
参考资料-记忆棒
DDR42400和DDR42666内存模块之间的主要区别在于频率。前者的频率相当于2400MHz,后者的频率相当于2666Mhz。后者的数据传输效率更高。
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内存性能指数
评估模块内存性能有有四个性能指标:
(1)存储容量:即存储卡可以容纳的二进制信息量。例如,常用的168行存储卡的存储容量通常为32MB或64MB、128MB。DDRII3通常为1GB至8GB。
(2)访问速度(存储周期):即两次独立访问操作之间所需的最短时间,也称为存储周期。半导体存储器的存取周期通常为60纳米。秒到100纳秒。
(3)内存可靠性:内存可靠性是通过平均故障间隔时间来衡量的,可以理解为两次故障之间的平均时间。
(4)性能价格比:性能主要包括内存容量、存储周期和可靠性。性价比是一个综合指标,不同的内存有不同的要求。
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