内存tras高好还是低好

低内存时序是好的。

存储器时序是描述同步动态随机存取存储器(SDRAM)性能的四个参数CL、TRCD、TRP和TRAS，单位是时钟周期。这些通常写为用破折号分隔的四个数字，例如7-8-8-24。第四个参数（RAS）常被省略，有时会加上第五个参数commandrate（命令速率），通常为2T或1T，也写为2N、1N。

这些参数指定影响随机存取存储器速度的延迟（延迟时间）。较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的最后一个因素是实际延迟，通常以纳秒为单位。

内存时序参数介绍

CL（CASLatency）：列地址访问的延迟是时序中最重要的参数。

tRCD（RAStoCASDelay）：将内存行地址传输到列地址的延迟时间只是一个估计值，这就是为什么稍微改变这个值不会导致内存性能发生任何显着变化。

tRP（RASPrechargeTime）：存储器行地址选通脉冲预充电时间。

tRAS（RASActiveTime）：行地址激活时间只能理解为向内存写入或读取数据的时间。这通常接近前三个参数的总和。