查看内存颗粒(win10查看内存条颗粒)

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一、怎么看内存条颗粒上参数看内存大小粒子数解释如下：
1．HY是HYNIX的缩写，意思是分子是新制造的产品。
2.记忆棒类型：(5D=DDRSDRAM)
3.加工工艺及电源：（V：VDD=3.3V&VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V&VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V&VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V&VDDQ=1.8V）
4、芯片容量密度及刷新速度：（64刷新：64M4K；66刷新：64M2K；28刷新：128M4K；56刷新：256M8K；57刷新：256M4K刷新；12刷新：512M8K；1G刷新：1G8K刷新）
5.记忆棒结构：（4=4片；8=8片；16=16片；32=32片）
6．存储体（保存位）：（1=2个存储体；2=4个存储体；3=8个存储体）
7.接口类型：(1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18)
8.内核代号：（空=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）
9.功：（空白=正常，L=低功耗类型）
10.封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F=FBGA；FC=FBGA（UTC：8x13mm））
11.封装堆栈：（空=正常；S=Hynix；K=M&T；J=其他；M=MCP(Hynix)；MU=MCP(UTC)）
12.包装材料：（空=常规；P=铅；H=卤素；R=铅+卤素）
13.速度：(D43＝DDR4003-3-3；D4=DDR4003-4-4；J＝DDR333；M＝DDR3332-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200)
14。工作温度：（I=普通工业温度（-40-85°）；E=扩展温度（-25-85°））
记住数字2、3、6、13等的实际含义。采用现代DDRSDRAM内存芯片可以很容易识别。尤其是数字13，是这条内存的最高实际工作状态。

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二、从外观上怎么看出内存条得容量大小

您可以通过查看内存颗粒的型号来确认内存条的容量。以三星内存芯片为例：

三星内存芯片的型号有一个16位数字代码。其中，用户更关心确定内存量和运行速度。我们来想象一下这两部分的含义。

编码规则：K4XXXXXXXXXX-XXXXX

主要含义：

第1位：K芯片的功能，是存储芯片。

数字2：芯片类型4，表示DRAM。

数字3：芯片类型的进一步说明，S代表SDRAM，H代表DDR，G代表SGRAM。

数字4和5：容量和刷新率。相同容量的内存使用不同的刷新率和不同的数量。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit容量；28、27、2A代表128Mbit容量；56、55、57、5A代表256Mbit容量；51代表容量为512Mbit。

第6位和第7位：数据线引脚数量，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。

数字14和15：芯片速度。例如，60-6纳秒；70-7纳秒；7B-7.5纳秒（CL=3）；(CL=2)；80-8纳秒；10-10纳秒（66兆赫）。

扩展信息：

评估存储卡的性能指标有四个：

（1）存储容量：即一张存储卡可以存储的二进制代码。包含。可存储的信息量如常用的168线存储卡的容量通常为32MB、64MB和128MB。DDRII3通常在1到8GB之间。

（2）访问速度（存储周期）：即两次独立访问操作之间所需的最短时间，也称为存储周期。半导体存储器的存取周期通常为60纳米。100纳秒。

（3）内存可靠性。内存可靠性是通过平均故障间隔时间来衡量的，可以理解为两次故障之间的平均时间间隔。

（4）性价比。性能主要包括存储容量、存储周期和可靠性。这是一个复杂的指标，对于不同类型的内存有不同的要求。