内存超频3400时序电压多少(3200内存超频时序)

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一、给内存超频，怎样调整内存电压和时序可以使内存在更大的频率下稳定运行？当频率为主要因素时，应适当调整cl值。如果不稳定，可以增加总值（四个计时元素中的最后一个）。设置到最大基频后，可以尝试将电压提高到更高的频率1.65V和DDR40.5V。一般来说，频率值递增一级（每级相距约266MHz），cl值递增一级。（同样的内存也是如此。）比如ddr31600mhzcl9一般超频到2133mhzcl11，当然也可以超频到1866mhzcl10。(1600-1866-21339-10-11)如果较高，可以尝试提高电压。
当然最重要的是身体问题。目前最好使用三星的b-die芯片内存，如3000MHzCL14，其次是3000MHzCL16。最好的ddr3是美光的1600mhz、cl8、1.35v。当超频到2133mhz（1.5v时）时，只有cl9，非常强大。

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二、4000频率内存最佳时序电压电压为1.45V。4000c14的延迟应该在52-53ns左右。DDR4磁珠一般可以承受1.45V左右的电压，专门的超频磁珠甚至可以承受1.7V左右的电压。因此，4000频率内存的最佳时序电压为1.45v。