内存条有几种类型怎么分辨(内存条怎么分辨二代三代)

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一、台式内存条有几种类型？什么ERCC,普条，详细讲一下，谢谢😊根据内存模块的接口形式，常见的内存模块有两种：单列直插内存模块（SIMM）和双列直插内存模块（DIMM）。SIMM内存模块分为30线和72线。与SIMM内存模块相比，DIMM内存模块有168个引脚。DIMM可以单独使用，不同容量的SIMM必须成对使用。根据存储器的工作模式，存储器可分为FPAEDODRAM和SDRAM（同步动态RAM）。FPA(FASTPAGEMODE)快速页访问RAM存储器：这是早期计算机系统中常用的存储器。它每三个时钟周期传输一次数据。EDO（EXTENDEDDATAOUT）RAM扩展数据输出随机存取存储器：EDO存储器取消了主板和内存两个存储器周期之间的时间间隔。它每两个时钟脉冲周期输出一次数据，从而显着降低内存速度，提高30%。EDO一般有72个引脚，EDO内存已被SDRAM取代。S（SYSNECRONOUS）DRAM同步动态随机存取存储器：SDRAM有168个引脚，是目前PENTIUM型号及以上型号使用的存储器。SDRAM将CPU和RAM锁定在同一时钟上，允许CPU和RAM共享一个时钟周期并以相同的速度同步运行。每个时钟脉冲的上升沿开始数据传输，速度比EDO存储器快50%。DDR（DOUBLEDATARAGE）RAM：一种更新的SDRAM产品，允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据，在不增加时钟频率的情况下使SDRAM的速度加倍。RDRAM（RAMBUSDRAM）是内存总线型动态随机存取存储器；RDRAM是RAMBUS公司开发的一种新型DRAM，有系统带宽和芯片间接口设计。它可以通过简单的总线在非常高的频率范围内传输数据。此外，低压信号用于在高速同步时钟脉冲的两个边沿上传输数据。INTEL将在其820芯片组产品中添加对RDRAM的支持。由于这种类型的内存太昂贵，因此在个人电脑上已经找不到了。DDR2（双倍数据速率2）SDRAM是JEDEC（联合电子设备工程委员会）制定的新一代内存技术标准。与上一代DDR内存技术标准最大的区别在于，它同样采用了时钟的上升/下降延迟数据传输的基本方法，但DDR2内存的预读能力是上一代DDR内存的两倍（即4位数据读取预取）。换句话说，DDR2内存可以在每个时钟周期以外部总线速度四倍的速度读/写数据，并以内部控制总线速度四倍的速度运行。另外，由于DDR2标准要求所有DDR2内存必须采用FBGA封装，与目前广泛使用的TSOP/TSOP-II封装不同，FBGA封装可以提供更好的电气性能和散热性能，这为DDR2内存提供了稳定性为未来频率发展奠定坚实的基础。回顾DDR的发展历史，从第一代个人电脑用的DDR200，经过DDR266、DDR333，到如今的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也已经达到了技术的极限，而同样，使用传统方法也很难提高工作速度。随着最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求越来越高，更高、更稳定工作频率的DDR2内存将是大势所趋。

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二、怎么看内存条是DDR几？

要区分计算机的内存模块，只需按插槽对它们进行分类即可。内存连接器分为三种类型：DDR、DDR2和DDR3。其中DDR为第一代，DDR2为第二代，DDR3为第三代。

内存条连接器的检查方法如下：

1．安装驱动精灵、鲁大师等软件。

2.运行软件（以鲁大师为例），点击“硬件检测”；

3.

扩展信息：

3是计算机内存的一种规格。它是属于SDRAM家族的内存产品。它比DDR2SDRAM提供更高的性能和更低的电压。它是DDR2SDRAM（同步动态随机存取存储器）（大八倍）的后继者，目前很流行。。

4又称双速SDRAM、双倍数据速率SDRAMDDRSDRAM，是一种高速CMOS动态随机存取存储器。

美国固态技术协会JEDEC于2000年6月宣布了双倍数据速率同步动态存储器（DDRSDRAM）的JESD79规范。因为它可以在时钟频率的上下沿传输数据。甚至发射前线。133MHz总线频率下的带宽也可以达到2.128GB/s。

DDR不支持LVTTL3.3V，但支持SSTL22.5V，制造成本比SDRAM略高，但价格却低很多。兰巴斯。DDR内存代表了未来内存发展的方向，有能力与Rambu竞争。

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三、电脑内存条分几种？如何分辨？

根据存储单元工作原理的不同，计算机的RAM分为静态RAM和动态RAM。

1.静态随机存取存储器（SRAM）

静态存储器单元由带有附加栅极控制的静态触发器组成。因此，它依靠触发器的自我保护功能来保存数据。SRAM中存储的信息可以在断电情况下长期保持，状态稳定，无需外部刷新电路，简化了外部电路设计。但由于SRAM的基本存储电路包含较多的晶体管，因此其集成度较低，功耗较高。

2.动态随机存取存储器（DRAM）

DRAM采用电容存储原理来存储信息。它电路简单，集成度高。由于每个电容器都有漏电，当电荷存储在电容器中时，随着时间的推移，电荷会因电容器的放电而丢失，从而丢失存储的信息。

解决办法是按照特定的时间间隔（2ms）对DRAM进行读写操作，使原来处于逻辑电平“1”的电容上放电的电荷可以补充到原来处于电平“0”的电荷。”仍然保持“0”。这个过程称为DRAM刷新。

区分方法：SRAM存储器原理：通过触发器来存储数据。单元结构：由六管NMOS或OS组成。优点：速度快、易于使用、无需更新、静态功耗极低；经常用作缓存。缺点：元件数量多、集成度低、运行功耗高。

DRAM内存原理：利用MOS管栅电容存储电荷的原理需要刷新（以前：三管基极单元；后来：一管基极单元）。刷新（Regenesis）：为了及时补充缺失的电荷，避免存储信息丢失，需要定期对栅极电容进行充电。

高级信息

存储器采用半导体存储器单元，包括随机存取存储器（RAM）、只读存储器（ROM）和高速缓存（CACHE）。很简单，因为RAM是其中最重要的内存。

（同步）SDRAM同步动态随机存储器：SDRAM有168个引脚，是目前PENTIUM型号及以上型号使用的存储器。

SDRAM将CPU和RAM锁定在同一时钟上，允许CPU和RAM共享一个时钟周期并以相同的速度同步运行。每个时钟脉冲的上升沿开始数据传输。速度比EDO存储快50%。

DDR（DOUBLEDATARATE）RAM：SDRAM的更新产品，允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据，在不提高时钟频率的情况下使SDRAM的速度加倍。

参考来源：-内存

参考来源：-随机存取存储器