科斌内存2666时序19怎么样

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一、如何查看内存时序内存时序是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP、TRAS，单位是时钟周期。它们通常写为用连字符分隔的四个数字，如上所示，16-18-18-36。
第四个参数经常被省略，有时会增加第五个参数：Commandrate，通常为2T或1T，也写为2N、1N。这些参数指定了随机性的影响。存储内存速度的数值越低通常意味着性能越快，因此越小越好，通常以纳秒(ns)为单位。
各种取值
这四组数字中，第一组数字CL（即第一组）对内存性能影响最明显，所以很多产品在产品名称上标注了内存CL值。一般DDR4内存的第一组值在15左右浮动，但DDR3内存的值在5到11之间，最后三组值也比DDR4内存小。也就是说，在相同频率下，DDR3内存比DDR4速度更快（笔者并不否认DDR4）。
讲完了时间序列中四组数字的定义，那么在购买产品时如何应用这些小知识呢？让我举一个例子。例如，的2400MHzDDR4内存的时序为17-17-17-39，而2666MHz内存的时序为19-19-19-43。实际测试中，内存频率为19-19-19-43。2666MHz虽然更高，但是因为同步值也高，所以没有性能优势。所以，大家在选择内存的时候，既要关注频率，也要注重时序。如果频率相同，应选择时序较低的产品。关于时序，在超频内存时也可以通过手动超频来减少时序。很多厂商也会推出超频版本供爱好者选择。