内存时序模式 连结 自动(内存时序模式选连接吗)

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一、内存时序调节教程内存时序调整是一项提高计算机内存性能的技术，通过调整内存访问时序，可以提高内存的读写速度和响应时间。以下是内存时序调整的基本教程。
1.了解内存延迟测量
ency(CL)：表示内存读取数据所需的延迟周期。CL值越低意味着读取速度越快。
ASDelay（tRCD）：表示从行地址变为列地址所需的延迟周期数。较低的tRCD值意味着更快的存储器读写速度。
chargeTime（tRP）：表示预充电行地址后，在更改下一行地址之前等待的延迟周期数。较低的tRP值意味着更快的内存读写速度。
iveTime（tRAS）：表示内存行激活后应保留的时间段数。较低的tRAS值意味着较高的内存访问效率。
2.查找与内存相关的配置选项，通常位于“高级”或“超频”选项下。不同的主板制造商和型号可能会有所不同。3.根据您的内存型号和规格调整相应的时序参数。一般来说，您可以选择自动、手动或XMP模式。如果您有极端的整理需求，可以选择手动模式进行更细致的调整。4.将CL、tRCD、tRP、tRAS值一一调整，然后保存设置并重启电脑。5.使用操作系统中的Memtest86等内存测试工具来检查内存稳定性和性能。如果没有出现错误并且性能有所提高，则调整成功。
3.注意事项
1.2.不同型号和内存品牌对时间测量的支持和稳定性可能不同，应根据实际情况进行调整。3
4.如果您对BIOS设置不太了解或者对电脑硬件不太了解，建议寻求专业人士的帮助。
这是有关内存时序调整的基本教程，对您很有用。如果您还有任何其他问题，请随时询问。

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二、内存条时序是什么意思内存时序参数一般缩写为2/2/2/6-11/1T的格式。
分别代表CAS/tRCD/tRP/tRAS/CMD的值。2/2/2/6-11/1T中的最后两个定时参数，即tRAS和CMD（command的缩写），是最复杂的定时参数。目前市场上对这两个参数存在一些误解，因为一些内存厂商直接用它们来代表内存性能。
用更通俗的话来说，CMDRate是芯片组意义上的延迟。它并不完全由内存决定，而是芯片组将虚拟地址解释为物理地址。
不难估计，高密度大容量的系统内存的物理地址范围更大，其CMD延迟明显大于只有一根内存的系统，甚至是双单内存的系统一边。