内存内部电路图

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一、电脑主板内存供电电路是怎么样的?对于存储器无电源或供电异常的故障，下面结合图5-8所示原理图进行说明
首先观察电解电容C2是否烧断。必须更换它。
观察Q1场效应管是否有烧毁迹象，如有则更换场效应管。也可以用手触摸场效应管，感觉是否特别烫，如果是，则应更换。
测量B点（Q1源极）有2.5V电压输出（如果电压正常，则SDRAM供电为3.3V，但内存测试失败，通常是C2电解液失效引起）。此时应更换内存插槽、C2或内存插槽内的电容或接触不良。
如果B点无电压，检查Q1的漏极是否有电源电压，栅极是否有控制电压。如果漏极和栅极电压正常，则通常是Q1损坏，需要更换。如果漏极通道无电压，检查3.3V电源线
如果栅极无电压，则说明LM324芯片部分电路有问题。检查LM324的12脚（IN+）是否有2.5V电压输入（SDRAM供电为3.3V，如果没有，检查提供参考电压的电路）。如果有参考电压，检查LM324的4脚是否有12V电压，如果没有，检查12V电源线。
发现流程图如图5-9所示。

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二、内存卡的储存数据的原理？存储原理还是得从EPROM和EEPROM说起。
EPROM是指可以通过特殊手段擦除内容，然后重写。基本器件电路（存储单元）如下，常采用浮栅低注入MOS电路，简称FAMOS。它类似于MOS电路。在N型衬底上生长两个P型高浓度区，并分别通过欧姆接触引出源极S和漏极D。它是一个多晶硅栅极，浮置在源极和漏极之间的SiO2绝缘层中，与周围区域没有直接的电连接。此类电路指示浮栅是否被充电以存储1或0。浮栅被充电（例如负电荷）后，在其正下方的源极和漏极之间感应出正导电沟道，使得浮栅被充电。MOS——管子导通，表示存储0。如果浮栅不带电，则不会形成导通沟道，MOS管不导通，即存1。
EEPROM基本存储器件电路的工作原理如下。与EPROM一样，它在EPROM基本单元电路的浮置栅极顶部生成浮置栅极。前者称为一级浮栅，后者称为二级浮栅。可以将电极引出至第二层浮栅，使得第二层浮栅连接一定电压VG。如果VG为正电压，则第一浮栅和漏极之间会产生隧道效应，导致电子注入到第一浮栅中，从而进行编程。如果VG为负电压，则第一级浮栅中的电子被迫消失，即被删除。删除后可以重写。
闪存的基本器件电路如下。与EEPROM一样，它也是由浮栅MOS晶体管组成。但第一层栅极电介质非常薄，充当隧道氧化层。写入方法与EEPROM相同。将正电压施加到第二级浮栅以允许电子进入第一级浮栅。读取方法与EPROM相同。擦除方法是向源极施加正电压，利用第一级浮栅与源极之间的隧道效应，将注入浮栅的负电荷吸引到源极。由于通过施加正电压来擦除源极，因此每个器件的源极连接在一起。这样闪存就不能按字节删除，而是整体删除或者分块删除。后来，随着半导体技术的进步，闪存也实现了单晶体管（1T）的设计，主要是在原有晶体管的基础上增加了浮动栅和选择栅。半导体上形成存储电子的液体屏蔽，电流在两极之间沿一个方向传导。浮栅周围包裹有氧化硅薄膜绝缘体。它上面是选择/控制栅极，控制源极和漏极之间的线流。数据是0还是1取决于形成在硅衬底上的浮栅中是否有电子。如果有电子，则为0，如果没有电子，则为1。
闪存，顾名思义，是通过在写入之前擦除数据来初始化的。具体而言，从所有浮栅中提取电子。所有数据将返回“1”。
写入时，只在数据为0时写入，数据为1时不进行任何操作。写入0时，栅极和漏极上施加高电压，增加了栅极和漏极之间传导的电子能量。源极和漏极。这样，电子就会突破氧化膜绝缘体，进入浮栅。
读取数据时，向栅电极施加一定的电压。大电流设为1，小电流设为0。当浮栅无电子时（数据为1），漏极加电压，栅电极加电压时，电流由于源极和漏极之间大量电子的移动而产生。在浮栅有电子的状态下（数据为0），沟道中传导的电子数量会减少。因为施加在栅电极上的电压被浮栅电子吸收后，很难对沟道产生影响。