三星最近开始对其 32GB DDR4 内存芯片进行采样。 内存密度提高的新产品将帮助DRAM封装工厂更轻松地生产高容量内存模块。 三星的 32GbA dieDDR4-2666 芯片由两个堆叠的 16GbDDR4 芯片组成,采用该公司的 10nm 工艺技术制造。
三星提供两种版本的32GbDDR4封装:一种采用2Gx8结构,另一种采用1Gx16结构。 前者被内存控制器视为两个 DRAM 内存设备,而后者则被视为一个设备。 DDP(双芯片封装)采用标准 78 或 96 球 FBGA 外形尺寸,并使用 1.2V 的行业标准电压
JEDEC 的 DDR4 规范仅描述 4Gbit、8Gb 和 16Gb 存储设备。 因此,DRAM制造商需要使用更先进的封装技术来构建服务器或工作站中大容量内存模块的芯片。 DDP 并不是特别新,但 32GbDDR4-2666DDP 仅由三星提供。
32GbDDR4 内存芯片将使模块和 PC 制造商能够使用更少的 DRAM 芯片来为需要高内存密度或小外形尺寸的应用开发高性能解决方案。 显然,双列内存模块仍然需要内存控制器的支持,但至少用这些芯片构建高容量内存子系统会更容易。
三星尚未公布其 32GbDDR4-2666DDP 的定价,但很明显,它们的售价会更高,因为它们是三星独有的,并且比 SDP 更难构建。
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