低时序高频率内存(内存时序有什么用)

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一、内存时序高好还是低好内存不足时的好时机。
在内存规格中，较低的时序数通常意味着更快的响应时间和更好的性能。在选择存储器时，如果参数相同，低时序存储器通常是更好的选择。例如，CL16内存比CL22内存具有更低的延迟，因此理论上它应该提供更快的性能。
内存，又称内存，是CPU可以直接访问的物理载体，提供对程序和数据的快速访问。内存主要用来临时存储CPU内部的计算数据以及与硬盘等外部内存交换的数据，内存的大小和性能影响着机器的整体性能。在最初的个人电脑中，内存以DIP芯片的形式直接安装到主板的DRAM插槽中，但随着Intel80286处理器的出现，无论是硬件还是软件都需要更多的内存，记忆棒诞生了。从286时代的30pinSIMM内存、486时代的72pinSIMM内存、奔腾时代的EDODRAM内存、奔腾2时代的SDRAM内存、奔腾4时代的DDR内存、9X5平台的DDR2内存、DDR5、HBM它在规格、技术、总线带宽等方面不断发展，并不断更新。然而，内存升级不断变化，其目的是跟上不断增长的CPU带宽需求，避免成为更快CPU运行的瓶颈。

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二、内存时序可以调低吗

记忆可能不太灵活。如果是蓝屏死机，你可以进入BIOS，将其调低，将内存扩展设置为较低的水平。简单来说，从BIOS矩阵中进行配置，找到内存设置，降低参数即可轻松找到当时的内存，然后按顺序更改。内存模块定时器配有试金石，用于测试内存模块的质量。

记忆最好的时机

诚实的频率和高时机都很好，但相同频率的低时机可能会更好，具体取决于什么是坚定的。这需要各种规格和数据存储的维护。

一般，无压力，时机很好，时机对性能影响最小，1866难，难就牺牲，胆小的911927还不错，能达到就更好了。24、性能比ddr42133好，一般数字，A-B-C-D，对应参数：CL-tRCD-tRP-tRAS。

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三、内存时序高低有什么区别？

低内存时序是好的。

存储器时序是描述同步动态随机存取存储器(SDRAM)性能的四个参数CL、TRCD、TRP和TRAS，单位是时钟周期。它们通常写为由破折号分隔的四个数字，例如7-8-8-24。第四个参数（RAS）常被省略，有时会加上第五个参数Commandrate（命令速率），通常为2T或1T，也写为2N、1N。

这些参数指定影响随机存取存储器速度的延迟（延迟时间）。较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的最后一个因素是实际延迟，通常以纳秒为单位。

内存时序参数介绍

CL（CASLatency）：列地址访问的延迟时间是时序中最重要的参数。

tRCD（RAStoCASDelay）：内存行地址传输到列地址的延迟时间。tRCD只是一个估计值。这就是为什么稍微改变这个值不会显着改变内存的性能。

tRP（RASPrechargeTime）：存储器行地址选通脉冲预充电时间。

tRAS（RASActiveTime）：行地址被激活的时间，可以简单理解为向内存写入或读取数据的时间。它通常接近前三个参数的总和。