内存时序是一个通常存储在内存模块的SPD中的参数。设置方法如下:
1.按F12进入BIOS,在BIOS中找到“DRAMTimingSelectable”。环境。
设置中可能出现的其他描述包括“AutomaticConfiguration”、“Auto”、“TimingSelectable”和“TimingConfiguringBySPD”。将其值设置为“Menual”(取决于BIOS)。开/关或启用/禁用)。
3.内存按行和列寻址。当请求被触发时,最初是tRAS。
4.预充电后,内存实际上开始RAS初始化。当tRAS激活时,RowAddressStrobe(RAS)开始处理所需的数据。
首先是行地址,然后tRCD初始化并循环结束,然后通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。从CAS开始到CAS结束的这段时间就是CAS延迟。因此,CAS是查找数据的最后一步,也是最重要的内存参数。
更多信息:
最常见的内存延迟参数是CAS(CL)、tRCD、tRP和tRAS,其中大多数遵循JEDEC内存标准。以下是一些设置参数的方法:
周期越低,内存的延迟就越低,内存的工作效率就越高。因此,只要操作系统能够稳定运行,CAS参数应该调整得尽可能低。
(RASToCASDelay):从存储器行地址控制器到列地址控制器的延迟时间。有两个参数选项:2和3。越小越好。
(RASPrechargeTime):内存行地址控制器预充电时间,有两个参数选项:2和3。预充电参数越小,存储器读写速度越快。
iveTime(tRAS):从内存行有效到预充电的最短时间段。有3个可选参数选项:5、6或7,但某些nForce2主板上的范围很大,最高可以为15,最低可以为1。最好将此参数调整在5到11之间。
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