内存卡存储原理图解

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一、内存卡存东西是怎样的原理？是改变了内存卡的什么东西才存了信息？硬盘（
FLASH芯片）-
硬盘采用磁性材料来记录信息。盘片上的磁性材料如果被磁化则代表1，如果没有磁化则代表0，因为断电后磁性不会改变，所以驱动器上电断电后数据仍然可以保存。内存的存储形式不同。存储器不使用磁性材料，而是RAM芯片。现在，请在一张纸上画一个“场”，其中包括画一个正方形并将其分成四等份。“场”这个词就是记忆。这样，“场”的四个空间就是了。内存存储空间。这个存储空间极小，只能存放电子设备
看看U盘、MP3。他们的存储芯片是闪存芯片，其工作原理与RAM芯片相似但不同。现在在纸上再画一个“田”字。这次您需要在四个空格上方各画一个圆圈。这个圆圈并不代表电子，而是一种物质。OK，Flash芯片打开，这次也记录了“1010”数据。电子进入第一个“场”空间，即芯片的存储空间。电子改变内部材料的特性。为了表明材质已改变其属性，您可以为“字段”的第一个圆圈着色。由于数据“1010”的第二位为0，所以Flash芯片的第二空间没有电子，自然里面的物质不会发生变化。第三个数字是1，所以“场”中的第三个空间被激发，第四个空间没有被激发。现在，当你画出“天”字时，第一个空间的物质被着色了，说明该物质的属性发生了变化，表示1，第二个空间没有着色，表示0，以此类推。当Flash芯片关闭时，材料属性不会改变，除非你打开它并清除它。当Flash芯片打开查看存储的信息时，电子进入存储空间，然后将信息发回。计算机会知道芯片材料是否发生变化。就是这样，RAM芯片断电后数据会丢失，Flash芯片断电后数据不会丢失。
虚拟信息还不清楚——不过印象中信息一般都是虚拟的，但广义上的信息是指数据、信息等。通过语言和文字来表达。这是一种意识，而不是一个分子。你提到的质量问题应该是指信息载体的质量问题，所以信息本身不应该有质量问题。（最终解释权归我~）

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二、内存卡的储存数据的原理？存储原理还得从EPROM和EEPROM说起。
EPROM是指其内容可以通过特殊手段擦除然后重写。其基本单元（蓄电池）电路如下。经常使用浮栅雪崩注入MOS电路，称为FAMOS。它类似于MOS电路。在N型衬底上生长两个高浓度P型区域，并通过欧姆接触分别引出S源极和D漏极。源极和漏极之间的SiO2绝缘层中有多晶硅栅极，与周围区域没有直接的电连接。此类电路指示浮栅是否带电以存储1或0。浮栅带电（例如带负电）后，在其正下方的源极和漏极之间感应出正导电沟道，从而使MOS管导通，即存储为0。如果浮栅不带负载，则不会形成导电沟道，MOS管不会导通，即存储为1。
基本EEPROM存储单元电路的工作原理如下。与EPROM类似，它在EPROM基本单元电路的浮置栅极顶部生成浮置栅极。第一个称为第一级浮栅，第二个称为第二级浮栅。可以将电极引至第二级浮栅，使得第二级浮栅连接到一定电压VG。如果VG为正电压，则第一浮栅和漏极之间发生隧道效应，导致电子注入第一浮栅，即编程。如果向VG施加负电压，则第一级浮栅中的电子被迫耗散，即被抵消。擦除后可以重写。
闪存基本单元的电路如下。与EEPROM类似，也是由双层浮栅MOS晶体管组成。但第一栅极介电层非常薄，并且起到隧道氧化层的作用。写入方法与EEPROM相同。将正电压施加到第二级浮栅以允许电子进入第一级浮栅。读取方法与EPROM相同。该抵消方法包括向源极施加正电压，并利用第一级浮栅和源极之间的隧道效应将注入浮栅的负电荷吸引向源极。由于正电压施加到抵消源，所以每个单元的源相互连接。这样闪存不能按字节擦除，但可以完全擦除或按块擦除。后来，随着半导体技术的进步，闪存也实现了单晶体管（1T）设计，主要是在原有晶体管的基础上增加了浮动栅和选择栅。在传导电流的半导体上形成浮棚，该浮棚将电子存储在两极之间的一个方向上。浮置栅极被氧化硅绝缘膜包围。上面是控制源极和漏极之间传导电流的选择/控制栅极。数据是0还是1取决于电子是否存在于形成在硅衬底上的浮栅中。有电子则为0，无电子则为1。
闪存，顾名思义，是通过在写入之前删除数据来初始化的。具体而言，从所有浮栅中提取电子。所有数据将重置为“1”。
写入时，只在数据为0时写入，数据为1时不执行任何操作。写入0时，栅极和漏极上会施加高电压，增加传导的电子能量源极和漏极之间。这样，电子就能突破绝缘氧化膜，进入浮栅。
读取数据时，在栅电极上施加一定的电压，大电流置1，小电流置0。当浮栅没有电子时（给定为1）、当向栅电极施加电压，向漏极施加电压时，由于源极和漏极之间大量电子的移动而产生电流。在浮栅有电子的状态下（数据为0），沟道中传导的电子数量会减少。由于施加到栅电极上的电压被浮栅电子吸收后，很难影响沟道。