内存trc是什么意思

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一、内存时序怎么调详解内存时序调整方法？内存时间是指读写内存时的延迟时间，包括CL（CASLatency）、TRCD（RAStoCASDelay）、TRP（RASPrechargeTime）等参数。这些参数可以通过调整内存时序来优化内存性能。
以下是调整内存时序的步骤：
1.进入BIOS设置：根据主板和计算机型号的不同，进入BIOS设置的方法可能会有所不同。通常，您需要在打开计算机时按特定的键，例如F2、F12或删除键。在BIOS设置中，找到“高级”或“内存”选项，进入内存时序调整选项。
2.调整CL（CASLatency）：CL是读写内存时的延迟时间。它表示从读命令到第一次读取数据的时间。您可以通过调整CL值来优化内存性能。一般来说，较低的CL值可提供更好的性能，但也会增加延迟。因此，您需要根据您的具体情况进行调整。在BIOS设置中，找到调整CL值的选项，根据自己的需要进行调整。
调整（RAStoCASDelay）：TRCD表示从RAS（行地址选择）信号到CAS（列地址选择）信号的时间。如果这个时间持续较长，就会影响内存的读写速度。您可以通过调整TRCD值来优化内存性能。在BIOS设置中，找到调整TRCD值的选项，根据自己的需要进行调整。
4.调整TRP（RASPrechargeTime）：TRP表示RAS信号重新充电所需的时间。在读写存储器之前，需要进行预充电操作，以清除之前的电荷。您可以通过调整TRP值来优化内存性能。在BIOS设置中，找到调整TRP值的选项，并根据需要进行调整。
需要注意的是，不同的内存类型和不同的计算机配置可能需要不同的最佳内存时序值。因此，您需要根据您的具体情况进行调整，并在测试中进行适当的优化。

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二、CAS＃延迟。RAS#到CAS#延迟。RAS#预充电。周期时间（Tras）。行周期时间（Trc）。首命令延迟。外频：内存这是SDRAM/DDRRAM的一个重要参数。
CAS#延迟。从RAS#到CAS#的延迟是硬件设计要求；
RAS#预充电、周期时间(Tras)和行周期时间(Trc)是控制初始化的参数。第一个命令延迟是SDRAM/DDRRAM软件控制要求；
FSB是提供给SDRAM/DDRRAM的时钟频率或CPU的时钟频率。
SDRAM/DDRRAM是内存，外存一般是指硬盘等低速内存。