当内存容量超过4000时,正常延迟为3~5秒。按照正常延迟,3~5秒算正常,不能排除内存CL值的影响。一般来说,同频率下内存的CL值越低,性能越好。
内存延迟指定系统在进入数据访问操作的就绪状态之前等待内存响应的时间量。一般来说,四个数字越靠后,价值就越大。内存性能越高。因此,国际内存标准组织认为目前的动态内存技术无法实现延迟0或1。
内存延迟含义
有一个专门的术语延迟记忆,称为延迟。为了可视化延迟,我们还可以将内存视为存储数据的数组或EXCEL电子表格。为了识别每个数据的位置,每个数据都标有行号和列号。在定义列之后的行之后。序列号,数据唯一。
内存运行时,当要读取或写入某些数据时,内存管理芯片会首先传输数据行的地址。该RASRowAddressStrobe信号激活行地址信号。然后在经过几个执行周期之前转换为行数据,然后激活CASColumnAddressStrobe信号和列地址信号。
RAS信号和CAS信号之间的几个执行周期代表RAS-CAS延迟时间。CAS信号执行后,还需要几个执行周期。对于使用PC133标准的SDRAM,该执行周期为2至3个周期;对于DDRRAM,该执行周期为4至5个周期。
在DDR中,实际的CAS延迟在2到2.5个执行周期之间。从RAS到CAS的转换时间因技术而异,大约为5-7个周期,这也是一个主要的延迟因素。
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