描述记忆棒性能的最重要的技术指标是
🚀速度
记忆棒的速度一般是基于访问一次数据所花费的时间(单位通常为ns)。作为绩效指标。时间越长,访问数据所需的时间就越长。普通内存速度只能达到70ns到80ns,EDO内存速度可以达到60ns,SDRAM内存速度已经达到7ns。
💾容量
记忆棒的容量有不同的规格。早期的30行记忆棒的容量从256KB、1MB、4MB和8MB不等,大多数为4MB、4MB和8MB。8MB、16MB和168行的SDRAM内存通常容量为16MB、32MB、128MB甚至更大。
🔍奇偶校验
为检查读取的数据是否正确,内存条中每8位容量可配备1位作为奇偶校验位,与主板的奇偶校验配合使用电路正确检查检索到的数据。但在实际使用中,奇偶校验位的有无并不影响系统性能,因此大多数内存条不再配备奇偶校验芯片。
🔌内存电压
FPM内存和EDO内存均使用5V电压,而SDRAM使用3.3V电压。使用时注意不要将主板上的跳线设置错误。
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