内存时序c14怎么设置(内存时序 16 20 20 38)

内存时序是通常存储在内存模块的SPD上的设置。调整方法如下：

1．按F12进入BIOS，然后在BIOS设置中搜索“DRAMTimingSelectable”。。

设置中可能出现的其他描述包括：AutomaticConfiguration、Auto、TimingSelectable、TimingConfiguringBySPD等。将其值设置为“菜单”（取决于BIOS）选项。是：开/关或启用/禁用）。

3.内存按照行和列寻址。当查询被触发时，最初是tRAS。

4.预加载后，内存实际上开始初始化RAS。启用tRAS后，RAS(RowAddressStrobe)开始寻址所需的数据。

首先是行地址，然后初始化tRCD，循环结束，然后通过CASE访问所需数据的精确十六进制地址。从CAS开始到CAS结束的期间为CAS截止日期。所以CAS是查找数据的最后一步，也是最重要的内存参数。

详细信息：

最常见的内存延迟设置有CAS(CL)、tRCD、tRP和tRAS，其中大部分遵循JEDEC内存标准。下面介绍几种配置方法：

1.较低的CAS周期可以减少内存延迟时间，提高内存运行效率。因此，只要操作系统能够稳定运行，CAS参数就应该尽可能调低。

（RASToCASDelay）：存储器行地址控制器和列地址控制器之间的延迟时间。有两个设置选项：2和3。越小越好。

（RASPrechargeTime）：存储器线地址控制器预充电时间。有两个设置选项：2和3。预载设置越小，内存读写速度越快。

（RASActiveTime）：从内存线有效到预充电的最短周期。我们有三种可选设置选项：5、6或7，但某些nForce2主板上的选择范围非常大。大，最高可以是15，最低可以是1。这个参数最好调整在5到11之间。