I5-10400f必须配备3200Hz内存模块。
现代RAM使用电容器来存储数据。充满电的电容器代表1(二进制),未充电的电容器代表0。由于电容器存在一定程度的泄漏,因此随着时间的推移,除非采取特殊措施,否则数据将逐渐丢失。
刷新是指定期读取电容的状态,然后按照原来的状态重新充电,以补充损失的电荷。更新的需要解释了RAM的易失性。
挥发性:
对静电敏感。与其他敏感集成电路一样,RAM对环境中的静电很敏感。.充电非常敏感。静电会干扰存储电容的充电,导致数据丢失甚至电路烧毁。因此,在触摸RAM之前,应该用手触摸金属块。
访问速度现代RAM在几乎所有访问设备中具有最高的写入和读取速度。与其他机械控制的存储设备相比,访问延迟也显得很低。
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