1.各种频率
31066的频率为1066MHz。
31333的频率为1333MHz。
2.功耗问题
31066的功耗是DDR2-800产品的0.83。
31333的功耗是DDR2-800产品的0.95倍。
3.各种插槽类型
31066的插槽类型为SDRAM。
31333的插槽类型为DIMM。
由于都是DDR3,性能差异并不大,无需更换。
扩展信息:
DDR3和DDR2的比较:
1.突发长度
DDR3的预取为8位,因此突发传输周期也固定为8。对于DDR2和早期DDR架构系统,DDR3还为此增加了4bitBurstChop模式,配置为BL=4。通过综合读取操作和BL=4写入操作来产生BL=8数据突发传输,可以通过A12地址线控制该突发模式。
2.寻址时序
正如DDR2在从DDR过渡后增加了延迟周期数一样,DDR3的CL周期也比DDR2有所改善。DDR2的CL范围一般在2到5之间,而DDR3的CL范围在5到11之间,并且附加延迟(AL)的设计也发生了变化。DDR2的AL范围是0到4,而DDR3AL有3个选项:0、CL-1和CL-2。
3新的复位功能
Reset是DDR3中一个重要的新功能,并且专门为其准备了一个引脚。DRAM行业长期以来一直要求添加此功能,现在终于在DDR3中实现了。使用该引脚可以简化DDR3的初始化过程。当重置命令有效时,DDR3内存将停止所有操作并切换到最小活动以节省电量。
3新增ZQ校准功能
ZQ也是新增加的引脚。240欧姆低容差参考电阻连接到该引脚。该引脚使用指令集通过片上校准引擎自动检查数据输出驱动器导通电阻和ODT终端电阻值。
5.参考电压分为两个信号
在DDR3系统中,对内存系统的运行非常重要的参考电压信号VREF进行了分压。分为服务用VREFCA和数据总线VREFDQ两个信号,有效提高系统数据总线的信噪比。
6.点对点连接
这是提高系统性能的重要变化,也是DDR3和DDR2的主要区别。在DDR3系统中,内存控制器仅处理一个内存通道,并且该内存通道只能有一个插槽。
因此,内存控制器和DDR3内存模块之间的关系要么是点对点(单个物理模块组),要么是点对两点(点对二)。-点、P22P)关系(双物理组模块)显着减少了地址/命令/控制和数据总线上的负载。
内存模块方面,与DDR2类别类似,也有标准DIMM(台式机)、SO-DIMM/Micro-DIMM(笔记本电脑)和FB-DIMM2(服务器)。第二代FB-DIMM使用更高规格的高级内存缓冲区(AMB2)。
参考来源:-DDR3
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