TRFC值属于第二个小参数,值越小单位越好。
DDR3内存值通常在90到120之间。低于80可能会变得不稳定。CL、tRCD、tRP、tRAS被称为第一定时,对粒子性能影响最明显、最重要。
首先,内存时序(英文:Memorytimings或RAMtimings)是描述同步动态随机存取存储器(SDRAM)性能的四个参数(CL、TRCD、TRP、TRAS),其单位为时钟周期。
可见,计算机要正常运行,对各种运行信号的产生、稳定、释放时间以及相互关系都有严格的要求。对操作信号进行时间控制称为时序控制。只有严格的时序控制才能保证各种功能部件有机组成的计算机系统。
扩展信息:
影响内存时序的因素:
将内存时序转换为实际延迟时,最要注意的是重要的一点。单位是时钟周期。如果不知道时钟周期时间,就不可能知道一组数字是否比另一组快。
例如,DDR3-2000内存的时钟频率为1000MHz,时钟周期为1ns。基于这个1ns时钟,CL=7给出7ns的绝对延迟。更快的DDR3-2666(1333MHz时钟,每周期0.75ns)可能会使用更大的CL=9,但产生的绝对延迟将小于6.75ns。
现代DIMM包含串行存在检测(SPD)ROM芯片,其中包含用于自动配置的推荐内存时序。PC的BIOS允许用户调整时序以提高性能(冒着降低稳定性的风险),并在某些情况下提高稳定性(例如使用推荐的时序)。
注意:内存带宽是内存吞吐量的衡量标准,通常受传输速度而非延迟的限制。对SDRAM多个内部存储体的交叉访问允许以峰值速率连续传输。增加带宽可能会以增加延迟为代价。具体来说,虽然每一代新一代DDR内存的传输速度都有所提高,但绝对延迟并没有显着变化。新一代产品,尤其是那些率先上市的产品,通常比前代产品具有更高的延迟。
增加内存带宽可以提高具有多个处理器或多执行线程的计算机系统的性能,即使内存延迟增加也是如此。更高的带宽还可以提高不使用专用视频内存的集成显卡的性能。
参考来源:-内存时序
参考来源:-时序控制
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