H81主板最大支持16GBDDR3内存。
DDR2SDRAM有4Bank和8Bank设计,旨在满足未来更大容量芯片的需求。DDR3很可能以2Gb容量起步,因此最初的逻辑Bank是8个,未来还有16个逻辑Bank的准备。
封装(Package)DDR3由于一些新功能将会有管脚的增加,8位芯片采用78球FBGA封装,16位芯片采用96球FBGA封装,而DDR2有60个。/68/84球FBGA封装有三种规格。而且DDR3应该是绿色包装,不含任何有害物质。
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DDR3内存虽然可以实现更高的带宽,但其功耗可以更低,而且其核心工作电压有DDR2从1.8V变为1.5V。相关数据预计,DDR3相比目前的DDR2将节省30%的功耗。当然,我们不必担心炎热。
与现有DDR2-800产品相比,为了在带宽和功耗之间取得平衡,DDR3-800、1066和1333的功耗比分别为内存带宽的0.72倍、0.83倍和0.95倍。有了显着的提升,功耗表现也比上一代更好。
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