高时序内存(内存时序参数对照表)

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一、内存时序高好还是低好？谈到内存性能，一般认为频率越高、时序越低，性能越好。以1600MHz内存为例，时序9-9-9的版本比时序11-11-11的版本快。存储器时序主要包括参数CL-tRCD-tRP-tRAS，分别代表CAS延迟、行地址列地址延迟、行地址预充电时间、行地址选通延迟。在提高超频的过程中，专家会同时调整频率和时序，以达到更高的性能。例如，一些低延迟内存模块如“2-2-2-5”序列可以比“3-4-4-8”序列提高3-5个百分点的性能。
在访问时序中，tCAS为列寻址所需的时钟周期，tRCD为行处理时钟周期与列处理时钟周期之差，tRP为下次访问前预充电所需的时间，tRAS为从进程开始到寻址结束的总时间。理想的时序设置应确保数据传输顺利，通常大于tRCD加tCAS加两个时钟周期，以保证数据传输的完整性和效率。
一般来说，对于内存性能来说，频率和时序优化是相辅相成的。较低的延迟意味着更快的数据传输，但还必须考虑稳定性等其他因素，以找到性能的最佳平衡。

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二、内存时序高好还是低好相同内存频率下时序参数的值越低通常意味着性能越好。例如，对于1600MHz内存，默认时间为11-11-11，比9-9-9慢。适合超频爱好者；除了提高频率之外，你还会选择优化时序来进一步提高内存速度。
内存时序是内存性能的关键因素，包括CAS延迟、列地址延迟；包含代表类地址预取延迟和类的四个参数。激活延迟。这些参数可以在BIOS设置或内存模块的SPD信息中进行调整。例如，JEDEC标准之外的低延迟内存模块，例如“2-2-2-5”，在相同频率下提供比“3-4-4-8”更高的性能。增加3至5个百分点。
具体来说，tCAS表示列寻址所需的时钟周期；tRCD是行地址和列地址之间的时间差，tRP是预充电所需的时间，tRAS是整个数据的总时间。存储过程。充其量，tRAS应大于tRCD+tCAS+2，以保证数据传输的稳定性和效率。