内存时序模式有哪些(内存时序对照表)

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一、内存时序5项填哪4项CL、TRCD、TRP和TRAS。内存时序可以简单理解为内存延迟。内存时序的5项分别填写在CL、TRCD、TRP和TRAS中。延迟越低，CPU与内存之间数据交换的间隔越短，性能相对越强。

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二、Bios设置内存时序模式是什么意思？一个参数，一般存储在记忆棒的SPD上。2-2-2-84数字的含义是：CASLatency（简称CL值）内存CAS延迟时间。它是内存的重要参数之一。有些品牌的内存会在内存条的标签上打印CL值。。RAS-to-CASDelay(tRCD)，内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row-prechargeDelay(tRP)，存储器行地址选通脉冲预充电时间。Row-activeDelay(tRAS)，内存行地址选通延迟。这是玩家最关心的四个时机调整。它们可以在大多数主板的BIOS中设置。内存模组制造商也计划推出低于JEDEC认证标准的低延迟超频内存模组。在相同频率设置的情况下，最小序列时序为“2-2-2-5”的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，范围为3到5个百分点。