访问一次内存储器所花的时间称为

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一、磁盘存储访问时间的计算公式是什么？

75%×200+25%×200×2=250ns（在访问内存之前，必须先检查页表以确定内存中的具体地址，因此必须随意访问两次。）磁盘装置在以恒定速度旋转的同时运行。为了进行读或写，磁头必须能够移动到所需的磁道并等待所需扇区的起始位置在磁头下方旋转，然后才开始读或写数据。

具体来说，从发出读操作命令到命令完成并将数据读入数据缓冲寄存器之间的存储访问时间略短于存储周期。存储访问时间和存储周期反映了主存储器速度指标。

其他信息：

磁盘存储访问时间：

磁盘设备在运行期间以恒定速率旋转。为了进行读或写，磁头必须能够移动到所需的磁道并等待所需扇区的起始位置在磁头下方旋转，然后才开始读或写数据。因此，磁盘访问时间可以分为三个部分：

存储周期是指连续两次对内存进行访问操作所需的最小时间间隔。由于有些存储器在访问操作后需要一定的恢复时间，因此访问周期通常大于或等于访问时间。读写周期一般与内存类型有关，这在一定程度上反映了内存的速度。

参考来源：-仓库访问时间

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二、在计算机中什么是内存存取时间和存储周期？

访问时间是指CPU向内存读取或写入数据的处理时间。

以读书为例。当CPU向内存发出命令时，它告诉内存访问特定地址的数据。一旦内存响应CPU，它就会发送请求的数据。CPU到CPU，直到CPU接收到数据，就变成读过程。

存储周期：发起两次连续的读或写操作所需的最短时间

内存访问周期通常为60ns-120ns。单位以纳秒（ns）为计量单位，换算关系为1ns=10-6ms=10-9s。常见单位有60ns、70ns、80ns、120ns等。相应的单位在存储卡上标有-6、-7、-8、-120等。值越小，访问速度越快。

扩展信息

内存的两个基本操作是“读”和“写”，是将存储单元转为Read和存储寄存器之间写入(MDR)。存储器接收到读取命令和读取信息稳定在MDR输出之间的时间称为“TA访问时间”。两次独立访问操作之间所需的最短时间称为“TMC存储器周期”。半导体存储器的存取周期通常为6ns至10ns。

存储单元（内存位置）称为“单元”。内存中存储机器字或字节的空间位置。内存被划分为许多存储单元，按一定的顺序编号，称为“地址”。例如，存储单元存储具有独立含义的代码。即作为一个整体进行处理或运算的一组数字称为“字”。

单词的长度，即单词的位数，称为“字长”。如果存储单元是按字节划分的，那么一个机器字往往必须存储在多个存储单元中。存储设备的内容一旦被记录，即使多次使用也不会改变。如果需要写入新内容，则原来的内容将被“删除”，成为新写入的内容。

参考来源：-访问周期

参考来源：-访问时间