DDR3低压内存与普通DDR3内存的区别在于:功耗不同、延迟时间不同、颗粒规格不同。一般来说,常规DDR3内存与低压DDR3内存的兼容性比较好。由于引脚、外壳等关键特性不变,DDR3低压显存、公版设计的显卡只需稍加修改即可使用,这对于厂商降低成本来说是一大优势。
1.功耗不同
1.内存DDR3低电压:内存DDR3低电压核心工作电压由1.8V降低至1.5V,功耗降低。
2.普通DDR3内存:普通DDR3内存需要消耗相对较大的电量才能满足高带宽要求。
2.不同的延迟时间
1.低压DDR3内存由于功耗较低,可以实现更高的工作频率,从而弥补了延迟时间较长的缺点。
2.一般普通DDR3内存:一般普通DDR3内存由于功耗高,存在延迟时间长的缺点。
3.不同颗粒规格
1.低压DDR3显存的颗粒规格多为32MX32bit,且单个颗粒的容量较大,4颗可组成128MB显存。
2.一般普通DDR3内存:普通DDR3内存的颗粒大小多为16MX32bit,需要8128MB显存,常用于中高端显卡。
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