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微星主板怎么调内存时序

  • 内存
  • 2024-05-23 03:45:48
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一、微星主板内存频率设置

设置方法如下:

操作系统:DellInspiron7400

操作系统:win10

操作系统:BIOS2.91

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1.首先您需要进入BIOS。按下电源键后,按键盘上的DEL键进入BIOS。

2.进入GIGABYTEBIOS界面后,为了让内容更容易理解,先切换到系统菜单,将语言设置为中文。

3.然后选择返回“M.I.T”菜单并选择高级内存设置。

3.首先打开内存频率设置的主开关。极限内存配置文件的意思是“极限内存配置”。

4.只需要在这里更改性能加速模式,然后更改为增强稳定性模式即可。

5.您可以点击内存倍率调整功能选项手动调整倍频,并可以根据内存质量增加内存。


二、内存时序怎么设置?

MemoryTiming是一个参数,通常保存在内存模块的SPD上,设置方法如下:

1按F12进入BIOS,在BIOS设置中找到“DRAMTimingSelectable”。

设置中可能出现的其他描述包括:AutomaticConfiguration、Auto、TimingSelectable、TimingConfiguringBySPD等。将其值设置为“Menual”(取决于BIOS)选项有:On/Off或Enable/Disable)。

3.内存按行和列寻址当触发请求时,最初是tRAS。

4预充电后,内存实际上开始启动RAS。一旦tRAS被激活,RAS(RowAddressStrobe)就开始寻址所需的数据。

首先是行地址,然后启动tRCD,循环结束,然后通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。从CAS开始到CAS结束的这段时间就是CAS延迟。所以CAS是找到最重要的数据和内存参数的最后一步。

附加信息:

最常见的内存延迟参数是CAS(CL)、tRCD、tRP和tRAS,其中大多数遵循JEDEC内存标准。以下是一些参数设置方法:

1较低的CAS周期可以减少内存延迟,提高内存工作效率。因此,只要操作系统能够稳定运行,CAS参数就应该尽可能调低。

(RASToCASDelay):内存行地址控制器到列地址控制器的延迟时间有两个参数选项:2和3。越小越好。

(RASPrechargeTime):内存行地址控制器预充电时间有两个参数选项:2和3。预充电参数越小,内存读写速度越快。

(RASActiveTime):从内存线有效到充电的最短周期我们有三个可选参数选项:5、6或7,但在某些nForce2主板上选择范围非常大。大,最高可以是15,最低可以是1。这个参数最好调整在5到11之间。