内存条选高频率还是低时序

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一、到底什么是内存时序？为何都说买内存外行看频率，内行看时序在购买电脑内存时，大多数人都会关注内存的容量和频率参数。一般来说，容量越大越好，频率越高越好。当然，这两个参数非常重要，但是还有一个重要的参数经常被大家忽略，那就是内存时序。那么什么是内存时序以及它对内存性能有什么影响呢？在本次科普版中，单德君就让大家了解一下这个内存参数。
时序影响存储芯片上各种常见操作之间的延迟。如果延迟超过一定限度，就会影响内存的性能。用一句话来概括：存储器的时序是对存储器在执行其各种操作时可能经历的固有延迟的描述。
内存时序以时钟周期为单位进行测量。在内存模块产品页面上，您可能会看到一系列数字，例如：例如16-18-18-38称为内存计时。从本质上讲，时间越短当然越好，因为它们代表延迟。这四个数字代表所谓的“主要时序”，它们对延迟的影响最大。
四个内存时序号对应的参数为CL、tRCD、tRP、tRAS，单位为周期。其中，CL（CASLatency）的意思是“列地址访问的延迟时间，是时序中最重要的参数”；tRCD（RAStoCASDelay）表示“内存行地址传输到列地址时的延迟时间”；表示“存储线地址选通脉冲预充电时间”；tRAS（RASActiveTime）代表“行地址激活时间”
看完上面的内容你是不是更困惑了？别担心，下面我们举一个简单的例子。
我们可以把内存中存储数据的地方想象成一个网格，每个方格存储不同的数据。当CPU需要数据时，它向内存发出相应的指令。
例如，CPU想要位置C3处的数据。内存收到CPU的指令后，首先需要判断数据在哪一行。Timing的第二个参数tRCD代表这个时间，意思是内存控制器从CPU线接收到指​​令后需要等待多长时间才能访问该线。
存储确定了数据所在的行后，还必须确定查找数据的列。计时中的第一个数字是CL，它表示内存确定行数后，在访问特定列之前要等待多长时间。
确定行数和列数后，就可以准确找到目标数据，因此CL是一个准确的值。所有的变化都会影响目标数据的位置，因此最关键的时序是对内存性能起着至关重要作用的参数。
内存时序的第三个参数tRP是确定一行后，等待另一行所需的时间。
第四个参数tRAS可以简单理解为向内存写入或读取数据的时间。它一般接近于前三个参数的总和。
为了保证稳定性，内存时序越低越好。然而，我们知道现在许多内存模块都可以超频，而高频和低时序是相互冲突的。随着频率的增加，必须牺牲时间。如果时序足够低，则很难提高频率。例如，虽然今年各大内存厂商发布的DDR5内存的频率有所提高，但时序也比DDR4内存高很多。

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二、为啥高玩选内存不看频率看时序？一文读懂内存时序

内存时序，简单来说，就是内存在处理各种任务操作时遇到的固有延迟的数值表示；更实质、更专业的术语来说，内存时序指的是处理工作和操作时间。对记忆影响最大的时间有四种。

内存时序

每个都有一个特定的代码名称：CL、tRCD、tRP和tRAS。所有这四个的代码名称都是CASLatency。第二个tRCD，RAStoCASDelay，表示内存列地址访问延迟时间，指的是内存行地址发送到列地址的延迟时间。也就是说，它代表RASPrechargeTime。存储器行地址选通脉冲预充电时间，第四个tRAS，RASActiveTime表示行地址激活时间。

了解了主时序的含义后，还必须了解内存与CPU的连接原理，才能真正理解主时序对内存性能的影响。

通常，CPU的工作流程是发出寻址指令并处理内存，以快速定位和寻址存储在Go网格上的列和行的文件。。

当CPU发出对文件A的搜索时，内存必须首先确定数据位于Go网格的哪一行。第二个定时参数tRCD代表这个时间。，是到达该行的指令后访问该行需要多长时间的内存集合。每行的数据量非常复杂，第一步内存工作无法精确定位，只能估计，所以需要第二步才能完成指令，请小心。

确定了内存在文件A的哪一行之后，我们需要确定数据在哪一列。只有确定了所有行和列后，才能锁定文件A中的特定地址。确定排队等待时间。这是CL时序。也就是说，在内存确定了行数之后，访问特定列需要多长时间？

第三个参数是指检查第一行的值到确定下一行之间的等待时间（time）。

第四个tRAS部分是指命令完成后的总内存，其值大约等于前三个值之和。当然，时间越高，差异就越大。。

接下来我们将通过DDR4和DDR5两种不同内存的时序来探讨D4和D5内存的区别。

“40-40-40-77”是某品牌5200MHzD5产品的时序设计，“16-16-16-36”是该品牌4000MHzD4产品的时序设计。

从时间角度来看，两者之间存在几乎2倍或更多的数值差异。D5内存的绝对频率显着增加，但它可以而且肯定会显着增加延迟。对用户的实际使用造成一定的影响。

这就是为什么许多D5记忆暂时不会被许多玩家接受的原因。

增加频率并不能显着改善用户体验，但过度的延迟就像一颗定时炸弹，无意中影响了用户体验，同时增加频率可能是未来的趋势。记忆。行业是一个需要持续探索的重要课题。

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三、内存时序可以调低吗

内存的时序可以调低。如果是蓝屏死机，您可以进入BIOS并向下调整它以降低内存延迟。简单来说就是从主板BIOS调整，找到内存设置，减少参数。频率越高，延时也会相应增加，就很容易找到内存时序，然后改变顺序。调整内存条的时序是检验内存条品质的试金石，一般不会缩短内存条的寿命。

最佳内存时序

高频高时序好，同频低时序好，1600和1866必须选另一个，就是既稳定又强大小心高频和低时序其实在容量至关重要的时候，所谓时序就是指刷新内存的间隙。由于存储器是易失性存储设备，因此需要对存储单元进行不同的充电来维持数据。

一般没有压力，时序高，时序对性能影响最小，1866达不到，努力就牺牲了，时序911927还不错，如果能到24就更好了，性能优于ddr42133，一般数字，A-B-C-D，对应参数：CL-tRCD-tRP-tRAS。