内存的第二时序是什么

---

一、三星b-die内存第二时序参数根据三星b-die内存的信息，测量TRCD显示，三星b-die内存的第二次测量是TRCD。三星b-die内存时间的第二个参数TRCD表示内存控制器在收到行指令后需要等待多长时间。

---

二、内存时序是什么意思内存时序参数一般缩写为2/2/2/6-11/1T的格式。
分别表示CAS/tRCD/tRP/tRAS/CMD的值。2/2/2/6-11/1T中的最后两个定时参数，即tRAS和CMD（command的缩写），是最复杂的定时参数。目前市场上对这两个参数存在一些误解，因为有些内存厂商直接用它们来代表内存性能。
用更通俗的话来说，CMDRate是芯片组意义上的延迟。它并不完全由内存决定，而是芯片组将虚拟地址解释为物理地址。
不难估计，高密度大容量的系统内存的物理地址范围更大，其CMD延迟明显大于只有一根内存的系统，甚至是双单内存的系统一边。

---

三、内存时序是什么意思详细介绍比较不同内存条的参数时，我们可以看到有内存时序，但一般新手和新人不知道内存时序是什么意思。今天我们就为大家带来关于记忆时序的科普知识。
内存计时是什么意思：
答：内存计时简单来说就是内存延迟。
比较时，内存时序数越小，内存速度越快。
1.一般记忆时序由5个数字和4个连接符号组成。
2.有些内存时序标签会省略第4、5个数字，所以看起来只有3、4个数字。
3.第一个数字是指读取第一位所需的周期数。简单来说，就是开始阅读所需的时间。
4.第二个数字是将行地址传输到列地址的延迟。简而言之，就是读完最短的一栏所需的时间。
5.第三个数字是行预充电时间，表示从上一行读取到下一行所需的时间。
6.第四个数字是行激活时间。其功能与第二个数字相同，因此常被省略。
7.第五个数字是第一个命令延迟。由于作用不大，所以常常被省略。
与内存频率一样，内存时序也是我们购买内存时需要考虑的因素。