三星内存颗粒型号字母对照表

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一、三星内存条上面参数详解

LG内存模组参数详情如下：

1.

2.一般来说，双倍兼容性较好，单四超频较好。3.4.5.M471B5673FHO-CH9有点复杂。M是Memory的缩写，其实就是内存；记忆

6。7.1011表示工厂时间，指的是工厂2010年第11周末。

如何辨别三星内存正品

1.通常很有质感，或闪亮，或荧光，或哑光；而较低的三星存储芯片上的足迹大多集中在徽标周围，并且芯片的足迹非常均匀，与其他部分不同。

2.边缘必须整齐、无折边；但三星内存的下PCB拿在手上并没有厚重的感觉，呈灰色。3.-LG的内部模拟录音将变为白色或黑色。4.透明盒包装和电子保修卡

原装三星，装在一个大透明盒中。卡、内存不逊于LG。

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二、内存颗粒上的编号DDR和SDR的编号方式不同
1.现代DDR2内存颗粒编号规则（hynix）
现代DDR2内存颗粒
HY5PS12821F-C4就是这款现代DDR2内存颗粒，我们现在将其分为9部分，并逐一解释。
：现代记忆
2。5P：DDR2
3。S：工作电压1.8V
4．12：容量512MB，如果是28则为128MB。,56则为256MB，1G为1GB，2G为2GB
5、8：位宽×8，如果是4则位宽为×4，16为×16，32为×32
6.2：逻辑Bank数量为4Banks。如果是1那么就是2Banks。如果是3则为8Banks
7。2、是SSTL-2
8、F：封装类型是FBGASingleDie，如果是S则为FBGAStack，M是FBGADDP
9。如果是S6则为DDR28006-6-6，S5为DDR28005-5-5，Y6为DDR26776-6-6，Y5为DDR26775-5-5，Y4为DDR26774-4-4，C5为DDR25335-5-5，C3是DDR25333-3-3。
2.三星DDR2内存颗粒编号规则
三星DD2内存颗粒
K4T51083QB-GCD5是这款三星DDR2内存颗粒的编号。它分为10个部分，下面我将逐一解释。
1.K4：内存DRAM
2。T：DDR2
3。51：容量512MB，如果56就是256MB容量，1G就是1GB容量，2G就是2GB容量
4、08：×8位宽，如果04那么位宽就是×4，06就是×4Stack，07就是×8Stack，16为×16
5、3：逻辑Bank数为4Bank，如果是4则为8Banks
6。问：接口类型的工作电压为SSTL1.8V
7。B：产品版本为第3代，C为第4代，DEFGH等
8.G：封装类型为FBGA，如果是S则为FBGA（小），Z为FBGA-LF，Y为FGBA-LF（小）
9.C：正常能耗，如果是L则低能耗
10。D5：速度是DDR25334-4-4，如果是D6那么就是DDR26774-4-4，如果是E6。，就是DDR26775-5-5，如果是F7那就是DDR28006-6-6。
3.英飞凌DDR2内存颗粒编号规则
英飞凌DDR2内存颗粒
HYB18T512800AF37是英飞凌DDR2内存。下面将粒子数分为9个部分，一一为大家介绍它们的含义。
：与现代的HY和三星的K4一样，它是英飞凌
2内存颗粒计数的前缀。。T：DDR2
4。512：容量为512MB，如果是256则为256MB，如果为1G则为1GB
5.如果是40位宽，则为×4。如果是16位宽，则为×16
6。0：标准品（标准品）
7．>8.F：封装格式为FBGA
9、37：速度为DDR25334-4-4，如果是3则为DDR26774-4-4。
四：南亚DDR2内存颗粒编号规则
南亚DDR2内存颗粒
NT5TU64M8AF-37B就是南亚这款DDR2内存的编号
：南亚科技
2．5T：DDR2
3。U：接口及电压为SSTL1.8V
4。，也可以是128M4、32M16，类似256MB容量是64M4、32M8、16M16
5。A：产品版本1stVersion，B为2ndVersion，CDE等
6.84BallBGA
7、37B：速度为DDR25334-4-4，3B为DDR26774-4-4。
5.美光DDR2内存颗粒编号规则
美光DDR2内存颗粒
美光DDR2内存颗粒编号看似简单，其实很简单，不容易确定。它分为上、下两部分。如上，5MB22为第一部分，即生产日期和产地编号；D9DCN是FBGA封装编号，但从这里我们无法直接得知这款芯片的规格。而在美光官网使用的是不同的以MT开头的编号，内存芯片上的编号与官网使用的编号有什么内在联系呢？遗的是，作者并没有找到相应的规则。看来美光DDR2内存上通过编号来识别内存还存在一定的障碍。