SK海力士近日宣布,不仅将增加第一代10nmDRAM产能,还计划推出第二代DRAM今年下半年基于10纳米的处理级存储芯片(1ynm)为未来存储技术储备动力。
SK海力士首款1nm产品将是8GbDDR4-3200内存,据称采用该技术后,芯片尺寸将缩小20%,功耗将降低15%,体现了重大的技术进步。
该芯片特别引入了四相时钟机制,以增加信号强度并保持高频工作稳定性,并采用感应放大控制(SAC)技术,有效减少缩小芯片的需要。晶体管。
值得注意的是,SK海力士计划采用1ynm工艺生产包括DDR5、LPDDR5和GDDR6在内的多种类型内存,这表明该公司拥有其工艺新的广泛应用。向前看。
事实上,SK海力士作为内存行业三巨头之一,早在去年就已经是最新一家大规模采用1ynm工艺技术的厂商。
Skynix是现代海力士的英国品牌金士顿从现代海力士购买的记忆棒。
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