如今,内存整体容量提升至16GB、32GB,三星凭借强大的技术实力再次更新行业标准。全球最大的半导体供应商三星近日宣布量产两款高性能内存模块:8GBDDR4内存芯片和32GB内存模块,标志着内存技术取得重大突破。
虽然8GBDDR4内存看上去只有1GB的存储空间,但得益于先进的20nm制造工艺,年和合三星成功缩小了尺寸并提高了再派的密度。过去4GB芯片最大可以达到64GB,但三星推出了3DTSV硅封装技术,让新的8GBDDR4内存不仅可以扩展到64GB,甚至可以扩展到128GB,这是一项重大的技术创新。
三星全新8GB20nmDDR4内存集高性能、高密度和高能效于一体,专为企业用户设计。预计不久的将来,我们将看到企业大规模采购主板和存储卡。新型32GBDDR4内存模块的传输速度提高至2400Mbps。与上一代DDR3相比,性能提升了29%。特别适合企业数据中心和拍比云数据存储。要仅1.2V,节能效果显着。
目前,这两款三星新品已经开始发货,并根据订单大小提供企业客户价格。同时,三星还提供采用20nm工艺技术制造的4GBDDR3和6GBLPDDR3内存,以满足各种市场的需求。不出意外,三星也会效仿,发布采用3DTSV技术的最大容量128GB的DDR4内存,进一步巩固其在内存市场的领先地位。
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