记忆粒子。
三星A-Die和E-Die芯片之间的主要区别在于芯片的容量可以是16Gb(2GB)或32Gb(4GB)。32GB时,B-Die最大单芯片只有8Gb(1GB),单芯片最高16GB。三星A-Die和E-Die之间的主要区别在于频率。
芯片表面印制的数字和内存索引的第十个字符表示其所属的管芯。例如,芯片号K4AAG165WA或K4AAG085WA(不同封装);内存编号M378A4G43AB1为A-Die,芯片编号M378A4G43MB1为E-Die。
扩展信息
内存模块的容量。
例如,三星DDR内存封装在16个颗粒samsungk4h280838b-tcb0中。粒子编号的第4位和第5位“28”代表该粒子为128mbits;第6、7位“08”代表该粒子具有8位数据带宽;因此,可以计算出内存模块的容量。128bits(兆位)×16个/8bits=256mb(兆字节)。
注:“bit”表示“数字”,“b”表示字节,“byte”表示字节为8位,除以8计算。对于非ECC内存,每8个8位数据宽度的颗粒可以组成一个存储器。另一种类型的ECC内存在每个64位数据后添加一个8位ECC校验码。
DDR3内存长期占据市场主导地位,但人们对DDR4内存的期待并未消退。三星近日放出重磅消息,表示已经开始量产基于20nm工艺的4GB内存颗粒,这些产品将应用于16GB和32GB内存规格,旨在提升服务器市场的性能。
三星全新内存颗粒不仅速度达到2,667MB/s,相比DDR3内存性能有所提升,而且功耗降低了30%,在效率方面展现出显着优势。使用。
三星对该产品的雄心远不止于此,早在2011年,它就设定了4Gbps的目标,而今天的4GbpsDRAM芯片是实现这一目标的重要一步。在全球规模缩小领域取得突破,展现了雄厚的技术实力。
这一重要事件预示着内存技术新篇章的开始,DDR4时代的到来将带来计算机性能的显着提升。让我们期待三星DDR4内存如何占据市场领先地位。
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