1.定义上的差异
闪存是一种内部采用非线性宏单元模式的闪存,为固态实现提供了一种低成本且有效的方法。大内存解决方案。
sh是Intel于1988年开发的一种非易失性闪存技术。
2.原理上的区别
1.NAND结构提供非常高的单元密度,实现高存储密度,并且能够实现写入和擦除速度。它也非常快。应用NAND的困难在于管理闪存需要特殊的系统接口。
的显着特点是片上执行,它允许代码直接从闪存运行,而无需加载到系统RAM中。NOR的传输效率很高,而且容量小,只有1到4MB,非常划算,但写入和擦除速度很慢,对性能影响很大。
3.性能差异
的写入速度比NOR快很多。因此,擦除电路使得NAND的实际应用比NOR的实际应用简单得多。
的读取速度比NAND的写入速度稍快,并且NOR需要I/O接口以便可以直接执行代码。使用的时候你会需要它。
4.界面差异
设备使用复杂的I/O端口串行访问数据。闪存管理需要特殊的系统接口。
有一个SRAM接口,有足够的地址引脚用于寻址,并且可以轻松访问内部的每个字节。
5.容量成本差异
闪存的单元尺寸几乎是NOR器件的一半。由于生产过程更简单,NAND结构可以在给的模具尺寸下提供更高的容量,从而降低价格。
占据了1~16MB容量闪存的大部分市场,而NAND闪存仅用于8~128MB容量的产品。存储介质,NAND适合数据存储。
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