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内存能混搭不同大小的吗

  • 内存
  • 2024-06-08 22:55:46
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一、内存条型号大小不一样可以同用吗?不同尺寸的内存模块可以一起使用。不同尺寸的内存模块的混合称为双通道。

双通道内存架构由两个64位DDR内存控制器组成,带宽高达128位。双通道系统的两个内存控制器是独立的,并且具有互补的智能内存控制器,可以同时工作,零等待时间。

两个内存控制器的这种额外“性质”将有效等待时间减少了50%,从而使内存带宽加倍。虽然这个新规格主要是在芯片组和主板端发生变化,但拥有双通道的目的是为了解决内存带宽问题,所以即使主板只使用DDR400内存,也可以达到6.4的带宽。GB/s

双通道是主板芯片组中的一项新技术(Athlon64集成到CPU中)。。

扩展信息:

双通道安装要求:

双通道内存的一般要求按颜色分类。成对使用主板上的内存空间另外,某些主板需要在BIOS中进行一些设置。有些主板在系统双通道的情况下,开机自检时会有提示,可以仔细查看。由于自验证速度比较快,所以可能不可见。

所以可以用一些软件来测试一下,很多软件都可以测试,比如CPU-Z,比较紧凑。在“Memory”项中,有“Channels”,如果这里出现“Dual”一词,则表示实现了双通道。两根256M内存的双通道输出会比一根512M内存的输出好,因为一根内存不能创建双通道。

过去,随着计算机与中央处理器的速度越来越快,内存模块的带宽和数据传输速度始终保持着一定的差距,并且内存总线需要超频。同时。

当Intel将前端总线FSB提高到800MHz时,中央处理器和北桥芯片之间的数据传输带宽提高到6.4GB/s,这个带宽被DDR266甚至DDR333使用。内存模块不足以应对,要满足FSB8006.4GB/s的带宽,必须搭配双通道DDR400内存规格。

参考资料:-内存双通道


二、电脑上内存条装的不一样的可以用吗计算机可以配备两个不同大小的存储器。
双通道内存不能不同容量组合使用,但也可以不同频率使用。只要内存条的类型和规格相同就可以。类型:DDR、DDR2、DDR3规格:台式机内存、笔记本内存、服务器专用内存;
计算机主板与内存模块之间或内存模块与内存模块之间可能会出现兼容性问题。它的范围可能从蓝屏错误到硬启动失败。内存条之间的差异越大,不兼容的概率越高,相似度越高,内存条之间不兼容的概率越低。
其实,只要内存条插上,能稳定工作一段时间,就说明不存在兼容性问题,以后也不会出现兼容性问题。如果有兼容性问题,很快就会有答案(无法启动;蓝屏错误)。但不用担心,它不会损害其他设备,只需删除不兼容的内存即可恢复正常。。
三、内存可以混用吗?好的。
只要cl的主频、容量、延时没有问题,并且电脑支持,就可以同时使用。
选择内存时基本上需要考虑三个要点。
首先要考虑的是核心频率,因为不同核心频率的内存连接在一起或者主板根本不支持就会出现兼容性问题。
例如主板支持800/1066/1333等。这并不意味着主板可以同时容纳这些不同的规格。
例如,第一次锁定为800MHz,第二次锁定为1066MHz。结果是1066下降到800来运行。
另外,内存最好是同一品牌的,否则不同厂家采用的不同工艺即使参数一致也可能不兼容。
第二是容量,虽然内存容量越大越好。不过说实话,4G内存对于普通用户来说已经绰绰有余了。而且,32位Winodws系统只能支持3.25G内存容量。不管系统有多大,都不会被识别。因此,如果要升级到4G以上,就必须使用64位系统。
我不知道你的系统有多少位,所以我只能告诉你这个限制是存在的。您可以右键单击“我的电脑”并选择“属性”,您可以在其中键入系统位数。
第三个是CL延迟这个术语非常专业,无法用三言两语或普通话解释清楚。简单解释如下。
CL响应时间是给定内存的另一个指标。CL代表CASlatency,是指内存访问数据所需的延迟时间,简单来说就是内存接收到CPU的指令后响应的速度。常见的参数值为2和3。数字越小,响应时间越短。这是制造工艺造成的问题,所以这是购买品牌内存时不可忽视的因素。(代表厂家的品质)
还有另一种解释:内存延迟基本上可以解释为系统在进入数据访问操作的就绪状态之前等待内存响应的时间。
四、电脑两根内存条的大小和频率都不一样,能不能一起用

不能一起使用。

在DDR1和DDR2时代,两种内存一起使用的前提是它们必须具有相同的频率。容量可以不同,但​​如果频率不同,很容易导致蓝屏死机。所以不能使用。

DDR3时代,主板可以自动将高频内存切换到低频使用,大大提高了不同频率内存条的兼容性和稳定性。但它并不总是有效。

所以,同一品牌的内存如果频率不同,大多数情况下是无法混合稳定使用的。

高级信息:

内存性能指标

评估内存模块有四个性能指标:

存储容量:即记忆棒可存储的二进制信息量,例如常用的168行记忆棒的存储容量为32MB、64MB和128MB。DDRII3通常是1GB到8GB。

存取速度(存储周期):即两次独立存取操作之间所需的最短时间,也称为存储周期。半导体存储器的存取周期一般为60纳秒到100纳秒。

内存可靠性:内存可靠性是通过平均故障间隔时间来衡量的,可以理解为两次故障之间的平均时间间隔。

性价比:性能主要包括内存容量、存储周期和可靠性,性价比是一个综合指标,不同的内存有不同的要求。

参考来源:-记忆棒