1622mb等于多少g内存

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一、如何看内存颗粒识内存大小例：内存芯片编号为HY5DU56822BT-D43。
这一系列数字由14组数字组成，如下：
·“HY”代表HYNIX，表示是颗粒现代制造的产品。
·“5D”表示内存芯片类型为DDR，57表示内存芯片类型为SD。
·“U”代表加工工艺，电压为2.5V。（V：VDD=3.3V&VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V&VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V&VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V&VDDQ=1.8V）
·“56”指的是256M8K刷新的芯片容量密度和刷新率。（64：64M4K刷新；66：64M2K刷新；28：128M4K刷新；56：256M8K刷新；57：256M4K刷新；12：512M8K刷新；1G：1G8K刷新）
·“8”是内存。芯片结构是指存储器由八个芯片组成。（4=4个芯片；8=8个芯片；16=16个芯片；32=32个芯片）
·“2”代表存储器的一个Bank（存储位）。(1=2banks;2=4banks;3=8banks)
·“2”表示接口类型为SSTL_2。(1=SSTL_3;2=SSTL_2;3=SSTL_18)
·“B”是第三代内核代号。（空白=第1代，A=第2代，B=第3代，C=第4代）
·能耗，空格为通用代号，L为低能耗代号，表示能耗代号。该内存模块是空的，因此属于通用类型。
·封装类型以“T”表示，为TSOP封装。(T=TSOP;Q=LOFP;F=FBGA;FC=FBGA)
·包堆栈，空白=正常；K=M&T；MCP（海力士；）；MU=MCP(UTC)，上面的内存是空的，说明是正常的打包栈。
·包装材料，空白=普通，P=铅，R=铅+卤素。存储器由普通包装材料制成。
·“D43”表示内存速度为DDR400。(D43=DDR400,3-3-3;D4=DDR400,3-4-4;J=DDR333;M=DDR333,2-2-2;K=DDR266A;H=DDR266B;L=DDR200)
·工作温度，通常省略。I=工业常温（-40至85度），E=扩展温度（-25至85度）
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