DDR3传输速度最高可达2133MHz,而DDR4传输速度起始于2133MHz,最高可达4266MHz。
内存方面,同单位的DDR4芯片内存是DDR3的两倍,DDR4最多可以容纳8个模块。是DDR3的两倍。以此计算,相同空间内DDR4模组的最大容量是DDR3的四倍。DDR3所需的标准电源为1.5V,DDR4则降至1.2V。专为移动设备设计的低功耗DDR4甚至降至1.1V。
DDR4最重要的任务当然是提升频率和带宽。DDR4内存的每个引脚可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽。DDR4-3200为51.2GB/s,比DDR3-1866提升70%以上。
标准频率DDR42133CL15
DDR42133频率下带宽测试:48.4GB/s
DDR4采用3DS堆叠封装后技术上,单个存储器的容量可以比现有产品大八倍。比如目前常见的大容量内存单颗容量为8GB(单芯片512MB,共16颗),而DDR4则可以达到64GB甚至128GB。至于电压,DDR4采用sub-20nm工艺制造,电压将从DDR3的1.5V下降到DDR4的1.2V。移动版SO-DIMMDDR4的电压会降得更低。
总结:
1:DDR4内存模组外观变化明显,金手指弯曲
2:DDR4内存频率大幅提升。达到4266MHz
3:DDR4内存容量大幅提升,最高可达128GB
4:DDR4功耗大幅降低,电压达到1.2V甚至更低
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